物料型号:
- 型号:ELM14900AA-N
器件简介:
- ELM14900AA-N采用先进的沟槽技术,提供优异的Rds(on)和低栅极电荷。
引脚分配:
- 引脚1:SOURCE2/ANODE
- 引脚2:GATE2
- 引脚3:SOURCE1
- 引脚4:GATE1
- 引脚5:DRAIN1
- 引脚6:DRAIN1
- 引脚7:DRAIN2/CATHODE
- 引脚8:DRAIN2/CATHODE
参数特性:
- 漏源电压(Vds):30V
- 栅源电压(Vgs):±12V
- 连续漏电流(Id):6.9A (Vgs=10V),5.8A (Ta=70℃)
- 脉冲漏电流(Idm):40A
- 肖特基反向电压(Vka):30V
- 连续前向电流(If):3A (Ta=25℃),2A (Ta=70℃)
- 脉冲前向电流(Ifm):40A
- 功耗(Pd):2.00W (Ta=25℃),1.44W (Ta=70℃)
功能详解:
- 该器件包含双N沟道MOSFET和肖特基二极管,具有低导通电阻和低正向压降。
- 提供了详细的电气特性参数,如静态参数、动态参数和肖特基参数。
应用信息:
- 适用于需要低导通电阻和快速开关的应用,例如电源管理、电机控制等。
封装信息:
- 封装类型:SOP-8