ELM16601EA-N

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ELM-TECH
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ELM16601EA-N - Complementary MOSFET - ELM Technology Corporation

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15 10V 3V 12 4.5V 10 8 Vds=5V 25°C 125°C Id (A) 2.5V 6 Id (A) 4 5 9 6 4 3 Vgs=2V 2 0 0 1 2 3 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 150 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 1.8 Normalized On-Resistance 125 Vgs=2.5V 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V Rds(on) (m: ) 100 75 50 Vgs=10V 25 0 0 2 4 6 8 10 Vgs=4.5V 1.4 1.2 Vgs=2.5V 1 0.8 0 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 200 1.0E+01 1.0E+00 150 Id=2A 1.0E-01 Rds(on) (m: ) Is (A) 125°C 1.0E-02 1.0E-03 100 125°C 50 25°C 1.0E-04 25°C 0 0 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1.0E-05 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 5 Vds=15V Id=3.4A 4 Capacitance (pF) Vgs (Volts) 600 500 Ciss 400 300 200 100 0 0 1 2 3 4 5 6 0 5 10 15 20 25 30 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Coss Crss 3 2 1 0 100.0 Tj(max.)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 10Ps Power (W) 100P s 1ms 0.1s 10ms 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 15 Id (Amps) 10.0 10 1.0 1s 10s DC 0.1 0.1 1 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note E) 10 100 5 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note E) 10 Z Tja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.ZTja.RTja RTja=110°C/W In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 T Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 20 -10V 15 -5V -4.5V -4V 10 Vds=-5V 8 25°C -Id (A) 10 -3V 5 -2.5V -Id (A) Vgs=-3.5V 6 125°C 4 2 -2V 0 0 1 2 3 4 5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 250 225 200 Vgs=-2.5V 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 1.6 Normalized On-Resistance Vgs=-4.5V, Vgs=-10V 1.4 Vgs=-2.5V 1.2 Id=-2A 1 Rds(on) (m: ) 175 150 125 100 75 50 0 1 2 3 4 5 6 Vgs=-10V Vgs=-4.5V 0.8 0 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 350 300 250 Id=-2A 1.0E+01 1.0E+00 1.0E-01 125°C Rds(on) (m: ) -Is (A) 200 150 100 50 0 0 2 4 6 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 1.0E-05 1.0E-06 25°C 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 5 Vds=-15V Id=-2.0A 4 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 600 500 400 300 200 100 0 0 1 2 3 4 5 6 0 5 10 15 20 25 30 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Coss Crss 3 Ciss 2 1 0 100.0 Tj(max.)=150°C Ta=25°C -Id (Amps) 10.0 Rds(on) limited 0.1s 1.0 1s 10s DC 0.1 0.1 1 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note E) 10 100 10ms 20 10P s Power (W) 100P s 1ms Tj(max.)=150°C Ta=25°C 15 10 5 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note E) 10 Z Tja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.ZTja.RTja RTja=110°C/W In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 T Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

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ELM16601EA-N

### 物料型号 - 型号：ELM16601EA-S

### 器件简介 - ELM16601EA-S是一款使用先进沟槽技术的互补MOSFET，提供优秀的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷。

### 引脚分配 - SOT-26封装的引脚配置： - 1号引脚：GATE1 - 2号引脚：SOURCE2 - 3号引脚：GATE2 - 4号引脚：DRAIN2 - 5号引脚：SOURCE1 - 6号引脚：DRAIN1

### 参数特性 - N沟道： - $Vds=30V$，$Id=3.4A(Vgs=10V)$ - $Rds(on)<60m\Omega(Vgs=10V)$ - $Rds(on)<75m\Omega(Vgs=4.5V)$ - $Rds(on)<115m\Omega(Vgs=2.5V)$ - $Rds(on)<265m\Omega(Vgs=-2.5V)$

- P沟道： - $Vds=-30V$，$Id=-2.3A(Vgs=-10V)$ - $Rds(on)<135m\Omega(Vgs=-10V)$ - $Rds(on)<185m\Omega(Vg=-4.5V)$

### 功能详解 - 最大绝对额定值： - 漏源电压（Vds）：30V（N沟道），30V（P沟道） - 栅源电压（Vgs）：±12V - 连续漏极电流（Id）：3.4A（25°C时N沟道），2.7A（70°C时N沟道），-2.3A（25°C时P沟道），-1.8A（70°C时P沟道） - 脉冲漏极电流（Idm）：30A（N沟道），-30A（P沟道） - 功率耗散（Pd）：1.15W（25°C时），0.73W（70°C时）

### 应用信息 - 该器件适用于需要低导通电阻和低栅极电荷的应用，例如电源管理、电机控制和汽车电子。

### 封装信息 - 封装类型：SOT-26 - 封装视图：提供了SOT-26封装的顶视图。

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