ELM18803BA-S

厂商：
ELM-TECH
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描述：
ELM18803BA-S - Dual P-channel MOSFET - ELM Technology Corporation

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25 20 10 -8V -3.0V -1.5V 8 Vds=-5V -Id (A) -Id (A) 15 10 -2.0V 6 125°C 4 25°C 5 0 0 1 2 3 Vgs=-1.0V 2 0 4 5 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 1.6 30 Rds(on) (m: ) 25 Vgs=-1.8V Normalized On-Resistance Id=-6A, Vgs=-2.5V 1.4 Id=-5A, Vgs=-1.8V 20 Vgs=-2.5V 1.2 Id=-7A, Vgs=-4.5V 15 Vgs=-4.5V 10 0 2 4 6 8 10 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 1.0 0.8 0 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 50 45 40 Id=-7A 1E+01 1E+00 1E-01 125°C Rds(on) (m: ) -Is (A) 35 30 25 20 15 10 0 2 4 6 8 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 25°C 125°C 25°C 1E-02 1E-03 1E-04 1E-05 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 5 4 Vds=-10V Id=-7A 6400 5600 Ciss Capacitance (pF) 4800 4000 3200 2400 1600 800 Crss 0 5 Coss -Vgs (Volts) 3 2 1 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 10 15 20 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 Tj(max)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 10Ps 100Ps 1ms 10ms 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 -Id (Amps) Power (W) 10.0 20 1.0 1s 10s DC 0.1 0.1 1 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note E) 10 100 0.1s 10 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note E) 10 ZT ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.ZTja.RTja RTja=90°C/W 1 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 0.1 Single Pulse 0.01 0.00001 Pd Ton T 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

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ELM18803BA-S

### 物料型号 - 型号：ELM18803BA-S

### 器件简介 - ELM18803BA-S是一款采用先进沟槽技术的双P沟道MOSFET，具有出色的Rds(on)和低栅极电荷。内部包含ESD保护。

### 引脚分配 - 引脚配置如下： - 1号引脚：DRAIN1 - 2号引脚：SOURCE1 - 3号引脚：SOURCE1 - 4号引脚：GATE1 - 5号引脚：GATE2 - 6号引脚：SOURCE2 - 7号引脚：SOURCE2 - 8号引脚：DRAIN2

### 参数特性 - 最大绝对额定值： - 漏源电压(Vds)：-12V - 栅源电压(Vgs)：±8V - 连续漏电流(Id)：在25°C时为-7A，在70°C时为5.8A - 脉冲漏电流(Idm)：-20A - 功率耗散(Pd)：在25°C时为1.4W，在70°C时为0.9W - 结和存储温度范围(Tj, Tstg)：-55至150°C

- 热特性： - 最大结到环境热阻(ROja)：t≤10s时为73°C/W，稳态为96°C/W - 最大结到引线热阻(ROjl)：稳态为63°C/W，最大为75°C/W

### 功能详解 - 该器件在不同Vgs电压下具有不同的Rds(on)值，例如在Vgs=-4.5V时，Rds(on)<18mΩ；在Vgs=-2.5V时，Rds(on)<22mΩ；在Vgs=-1.8V时，Rds(on)<29mΩ。ESD等级为4000V HBM。

### 应用信息 - 该器件适用于需要低Rds(on)和高耐压的应用场合，如电源管理、电机控制等。

### 封装信息 - 封装类型：TSSOP-8 - 封装视图：顶部视图

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