### 物料型号
- 型号:ELM34408AA-N
### 器件简介
- ELM34408AA-N是一款采用先进沟槽技术的单N沟道MOSFET,具有出色的导通电阻(Rds(on))、低栅极电荷和低栅极电阻。
### 引脚分配
- 引脚配置如下:
- 1号引脚:SOURCE
- 2号引脚:SOURCE
- 3号引脚:SOURCE
- 4号引脚:GATE
- 5号引脚:DRAIN
- 6号引脚:DRAIN
- 7号引脚:DRAIN
- 8号引脚:DRAIN
### 参数特性
- 电气特性:
- 漏源电压(Vds):30V
- 漏极电流(Id):8A(25°C时)/ 6A(70°C时)
- 导通电阻(Rds(on)):小于18毫欧姆(Vgs=10V时)/ 小于30毫欧姆(Vgs=4.5V时)
- 最大绝对额定值:
- 漏源电压(Vds):30V
- 栅源电压(Vgs):±20V
- 连续漏极电流(Id):8A(25°C时)/ 6A(70°C时)
- 脉冲漏极电流(Idm):32A(3秒脉冲)
- 功率耗散(Pd):2.5W(25°C时)/ 1.6W(70°C时)
- 结温和存储温度范围(Tj, Tstg):-55至150°C
### 功能详解
- 该器件具有低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要高效率和低功耗的应用场合。
### 应用信息
- 适用于需要高效率和低功耗的电源管理、电机控制等应用。
### 封装信息
- 封装类型:SOP-8
- 视图:顶视图