ELM34409AA-S

厂商：
ELM-TECH
封装：
描述：
ELM34409AA-S - Single P-channel MOSFET - ELM Technology Corporation

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Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 10 -Is - Reverse Drain Current(A) V GS = 0V 1 T A = 125° C 0.1 25° C 0.01 -55° C 0.001 0.0001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.0 1.2

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ELM34409AA-S

### 物料型号 - 型号：ELM34409AA-N

### 器件简介 - ELM34409AA-N是一款采用先进沟槽技术的单P沟道MOSFET，具有出色的导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和低栅极电阻。

### 引脚分配 - SOP-8封装，视图从顶部看： - 引脚1：源极（SOURCE） - 引脚2：源极（SOURCE） - 引脚3：源极（SOURCE） - 引脚4：栅极（GATE） - 引脚5：漏极（DRAIN） - 引脚6：漏极（DRAIN） - 引脚7：漏极（DRAIN） - 引脚8：漏极（DRAIN）

### 参数特性 - 漏源电压（Vds）：-30V - 漏极电流（Id）：-9A - 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=-10V时小于20毫欧，在Vgs=-4.5V时小于35毫欧

### 功能详解 - 该器件具有低导通电阻和低栅极电荷的特性，适用于需要高效率开关的应用场合。

### 应用信息 - 适用于需要高效率开关和低导通电阻的应用，如电源管理、电机控制等。

### 封装信息 - 封装类型：SOP-8 - 封装视图：顶部视图

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