ELM34801AA-S

物料型号： - 型号：ELM34801AA-N

器件简介： - ELM34801AA-N是一款使用先进沟槽技术的双P沟道MOSFET，具有出色的导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和低栅极电阻。

引脚分配： - 该器件采用SOP-8封装，引脚配置如下： 1. SOURCE1 2. GATE1 3. SOURCE2 4. GATE2 5. DRAIN2 6. DRAIN2 7. DRAIN1 8. DRAIN1

参数特性： - 漏源电压（Vds）：-30V - 栅源电压（Vgs）：±20V - 连续漏电流（Id）：-6A（25℃时）至-5A（70℃时） - 脉冲漏电流（Idm）：-30A - 功率耗散（Pd）：2.5W（25℃时）至1.3W（70℃时） - 结温和存储温度范围（Tj, Tstg）：-55至150℃ - 最大结到环境热阻（Rθja）：62.5℃/W

功能详解： - 该器件具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要高效率和快速开关的应用场合。

应用信息： - 由于其低导通电阻和高效率，ELM34801AA-N适用于电源管理、电机控制和音频放大器等应用。

封装信息： - 封装类型：SOP-8