1. 物料型号：
- 型号为ELM34804AA-N。
2. 器件简介：
- ELM34804AA-N是一款采用先进沟槽技术的双N沟道MOSFET，具有出色的Rds(on)（导通电阻）、低栅极电荷和低栅极电阻。
3. 引脚分配：
- SOP-8封装的引脚配置如下：
- Pin 1: SOURCE1
- Pin 2: GATE1
- Pin 3: SOURCE2
- Pin 4: GATE2
- Pin 5: DRAIN2
- Pin 6: DRAIN2
- Pin 7: DRAIN1
- Pin 8: DRAIN1
4. 参数特性：
- 漏源电压(Vds)：60V
- 漏极电流(Id)：4.5A（25°C时）/ 4.0A（70°C时）
- 导通电阻(Rds(on))：小于55毫欧姆（Vgs=10V时）/ 小于75毫欧姆（Vgs=4.5V时）
- 耗散功率(Pd)：2.0W（25°C时）/ 1.3W（70°C时）
- 封装到环境的最大热阻(Rθja)：62.5°C/W
5. 功能详解：
- 该MOSFET具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要高效率和快速开关的应用。
6. 应用信息：
- 适用于需要低导通电阻和高效率开关的应用场合，如电源管理、电机控制等。
7. 封装信息：
- 采用SOP-8封装。
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