### 物料型号
- 型号：ELM34810AA-N
### 器件简介
- ELM34810AA-N是一款采用先进沟槽技术的双N沟道MOSFET，具有出色的Rds(on)、低栅极电荷和低栅极电阻。
### 引脚分配
- 引脚配置如下：
- 1号引脚：SOURCE1
- 2号引脚：GATE1
- 3号引脚：SOURCE2
- 4号引脚：GATE2
- 5号引脚：DRAIN2
- 6号引脚：DRAIN2
- 7号引脚：DRAIN1
- 8号引脚：DRAIN1
### 参数特性
- 最大绝对额定值：
- 漏源电压(Vds)：30V
- 栅源电压(Vgs)：±20V
- 连续漏电流(Id)：7A（25°C时）/ 6A（70°C时）
- 脉冲漏电流(Idm)：40A（3μs脉冲宽度）
- 功率耗散(Pd)：2.0W（25°C时）/ 1.3W（70°C时）
- 结温和存储温度范围(Tj, Tstg)：-55至150°C
- 热特性：
- 最大结到环境热阻(Rθja)：62.5°C/W（稳态）
- 电气特性：
- 漏源击穿电压(BVdss)：30V
- 零栅压漏电流(Idss)：1μA（Vds=24V, Vgs=0V）
- 栅体漏电流(Igss)：±100nA（Vds=0V, Vgs=±20V）
- 栅阈值电压(Vgs(th)）：1.0V至3.0V
- 导通状态漏电流(Id(on)）：25A（Vgs=10V, Vds=5V）
- 静态漏源导通电阻(Rds(on)）：15mΩ至21mΩ（Vgs=10V, Id=7A）
- 正向跨导(Gfs)：24S（Vds=15V, Id=5A）
- 二极管正向电压(Vsd)：1.2V（If=1A, Vgs=0V）
- 最大体二极管连续电流(Is)：1.3A
- 脉冲电流(Ism)：2.5A（3μs脉冲宽度）
### 功能详解
- ELM34810AA-N具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要高效率和快速开关的应用。
### 应用信息
- 该器件适用于需要高效率和快速开关的应用场合。
### 封装信息
- 封装类型：SOP-8
- 封装视图：顶视图
