### 物料型号
- 型号：ELM34812AA-N
### 器件简介
- 简介：ELM34812AA-N是一款采用先进沟槽技术的双N沟道MOSFET，具有出色的导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和低栅极电阻。
### 引脚分配
- SOP-8封装：
- 1：SOURCE1
- 2：GATE1
- 3：SOURCE2
- 4：GATE2
- 5：DRAIN2
- 6：DRAIN2
- 7：DRAIN1
- 8：DRAIN1
### 参数特性
- 最大绝对额定值：
- 漏源电压（Vds）：20V
- 栅源电压（Vgs）：±12V
- 连续漏电流（Id）：7A（25°C时）/ 6A（70°C时）
- 脉冲漏电流（Idm）：38A（3μs脉冲宽度）
- 功率耗散（Pd）：2.0W（25°C时）/ 1.3W（70°C时）
- 结温和存储温度范围（Tj, Tstg）：-55至150°C
- 热特性：
- 最大结到环境热阻（Rθja）：62.5°C/W（稳态）
### 功能详解
- 电气特性：
- 漏源击穿电压（BVdss）：20V
- 零栅压漏电流（Idss）：1μA（16V Vds，0V Vgs）
- 栅体漏电流（Igss）：±100nA（0V Vds，±12V Vgs）
- 栅阈值电压（Vgs(th)）：0.5V至1.2V
- 导通状态漏电流（Id(on)）：15A（4.5V Vgs，5V Vds）
- 静态漏源导通电阻（Rds(on)）：15mΩ至35mΩ（4.5V Vgs，7A Id；2.5V Vgs，6A Id）
- 正向跨导（Gfs）：37S（5V Vds，7A Id）
- 二极管正向电压（Vsd）：1.2V（1A If，0V Vgs）
- 最大体二极管连续电流（Is）：1.3A
- 脉冲电流（Ism）：2.5A（3μs脉冲宽度）
- 动态参数：
- 输入电容（Ciss）：1082pF（0V Vgs，10V Vds，1MHz f）
- 输出电容（Coss）：277pF
- 反向传输电容（Crss）：130pF
- 总栅极电荷（Qg）：12nC至19nC（4.5V Vgs，10V Vds，7A Id）
- 栅源电荷（Qgs）：2nC
- 栅漏电荷（Qgd）：3nC
- 开关参数：
- 导通延迟时间（td(on)）：8ns至16ns（4.5V Vgs，10V Vds，1A Id，6Ω Rgen）
- 导通上升时间（tr）：8ns至16ns
- 关闭延迟时间（td(off)）：24ns至38ns
- 关闭下降时间（tf）：8ns至16ns
- 体二极管反向恢复时间（trr）：15.5ns（5A If，100A/s dI/dt）
- 体二极管反向恢复电荷（Qrr）：7.9nC
### 应用信息
- 该器件适用于需要低导通电阻和高效率的应用，如电源管理、电机控制和电池保护等。
### 封装信息
- 封装类型：SOP-8
