### 物料型号
- 型号：ELM35601KA-S
### 器件简介
- ELM35601KA-S是一款使用先进沟槽技术的互补MOSFET，提供出色的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷。
### 引脚分配
- TO-252-4封装（顶视图）：
- 引脚1：SOURCE1
- 引脚2：GATE1
- 引脚3：SOURCE2
- 引脚4：GATE2
- TAB：DRAIN1/DRAIN2
### 参数特性
- 最大绝对额定值：
- 漏源电压（Vds）：N沟道40V，P沟道-40V
- 栅源电压（Vgs）：±20V
- 连续漏电流（Id）：N沟道7.0A（25°C时），P沟道-5.5A（25°C时）
- 脉冲漏电流（Idm）：50A
- 功率耗散（Pd）：3.0W（25°C时）
- 热特性：
- 最大结到环境热阻（ROja）：N沟道42°C/W，P沟道42°C/W
- 最大结到外壳热阻（ROjc）：N沟道6°C/W，P沟道6°C/W
### 功能详解
- 电气特性（N沟道）：
- 漏源击穿电压（BVdss）：40V
- 栅阈值电压（Vgs(th)）：1.2V至3.0V
- 导通状态漏电流（Id(on)）：50A
- 静态漏源导通电阻（Rds(on)）：24mΩ至28mΩ
- 动态参数：
- 输入电容（Ciss）：530pF至662pF
- 输出电容（Coss）：118pF至165pF
- 反向传输电容（Crss）：44pF至66pF
- 开关参数：
- 总栅极电荷（Qg）：12.8nC
- 栅源电荷（Qgs）：2.0nC
- 栅漏电荷（Qgd）：1.7nC
### 应用信息
- 该器件适用于需要低导通电阻和低栅极电荷的应用，例如电源管理、电机控制和汽车电子。
### 封装信息
- 封装类型：TO-252-4
