ELM36401EA-S

厂商：
ELM-TECH
封装：
描述：
ELM36401EA-S - Single P-channel MOSFET - ELM Technology Corporation

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Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 10 -Is - Reverse Drain Current(A) V GS = 0V 1 T A = 125°C 0.1 25°C -55°C 0.01 0.001 0.0001 0 0.6 0.8 1.0 0.2 0.4 -V - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2

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ELM36401EA-S

1. 物料型号：ELM36401EA-S，这是一个单P沟道MOSFET。

2. 器件简介：ELM36401EA-S采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和低栅极电阻。

3. 引脚分配： - 1号引脚：漏极（DRAIN） - 2号引脚：漏极（DRAIN） - 3号引脚：栅极（GATE） - 4号引脚：源极（SOURCE） - 5号引脚：漏极（DRAIN） - 6号引脚：漏极（DRAIN）

4. 参数特性： - 漏源电压（Vds）：-20V - 漏极电流（Id）：-3A - 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=-10V时小于85毫欧，在Vgs=-4.5V时小于118毫欧，在Vgs=-2.5V时小于215毫欧

5. 功能详解：该器件具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻的特点，适用于需要高效率开关的应用。

6. 应用信息：适用于需要高效率开关的应用场合，例如电源管理、电机控制等。

7. 封装信息：器件封装为SOT-26。

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