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ELM37401FA-S

ELM37401FA-S

  • 厂商:

    ELM-TECH

  • 封装:

  • 描述:

    ELM37401FA-S - Single P-channel MOSFET - ELM Technology Corporation

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
ELM37401FA-S 数据手册
Transfer Characteristics 6 5 4 -ID (A) VDS = -5V TA = -55°C 25°C 125°C 3 2 1 0 0 0.5 1 1.5 -VGS (Volts) 2 2.5 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 10 -Is - Reverse Drain Current(A) V GS= 0V 1 TA = 125°C 0.1 25°C -55°C 0.01 0.001 0.0001 0 0.6 0.2 0.4 0.8 1.0 -V - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2
ELM37401FA-S
物料型号: - 型号为ELM37401FA-S。

器件简介: - ELM37401FA-S是一款采用先进沟槽技术的单P沟道MOSFET,具有出色的导通电阻(Rds(on))、低栅极电荷和低栅极电阻。

引脚分配: - 引脚配置如下: - GATE(栅极) - SOURCE(源极) - DRAIN(漏极)

参数特性: - 最大绝对额定值: - 漏源电压(Vds):20V - 栅源电压(Vgs):±12V - 连续漏极电流(Id):-1.4A(25°C时)和-1.1A(70°C时) - 脉冲漏极电流(Idm):-10A - 功率耗散(Pd):0.35W(25°C时)和0.22W(70°C时) - 结点与存储温度范围(Tj, Tstg):-55至150°C

- 热特性: - 最大结到环境热阻(tS5s):360°C/W - 最大结到环境热阻(稳态,ROja):425°C/W - 最大结到引线热阻(稳态,ROjl):320°C/W

功能详解: - 静态参数: - 漏源击穿电压(BVdss):-20V - 零栅压漏极电流(Idss):-1μA - 栅体漏电流(Igss):±100nA - 栅阈值电压(Vgs(th)):-0.4V至-1.2V - 导通状态漏极电流(Id(on)):-10A - 静态漏源导通电阻(Rds(on)):98mΩ至115mΩ - 正向跨导(Gfs):7S - 二极管正向电压(Vsd):-1.0V - 最大体二极管连续电流(Is):-0.7A - 脉冲体二极管电流(Ism):-1.4A

- 动态参数: - 输入电容(Ciss):476pF - 输出电容(Coss):260pF - 反向传输电容(Crss):105pF - 总栅极电荷(Qg):5.63nC至8.45nC - 栅源电荷(Qgs):2.35nC - 栅漏电荷(Qgd):1.47nC - 导通延迟时间(td(on)):11ns至22ns - 导通上升时间(tr):32ns至55ns - 关闭延迟时间(td(of)):38ns至68ns - 关闭下降时间(tf):32ns至55ns

应用信息: - 该器件适用于需要低导通电阻和快速开关的应用场合。

封装信息: - 封装类型为SC-70。
ELM37401FA-S 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“ELM37401FA-S”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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