### 物料型号
- 型号:HB52F168GB-B 和 HB52D168GB-B
- 类型:128MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM
- 规格:16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M × 16 components)
### 器件简介
- HB52F168GB 和 HB52D168GB 是16M × 64 × 1 banks的Synchronous Dynamic RAM Micro Dual In-line Memory Module(Micro DIMM),安装了4片256-Mbit SDRAM(HM5225165BTT)并使用TSOP封装,以及1片用于Presence Detect(PD)的2-kbit EEPROM。
### 引脚分配
- 144-pin Zig Zag Dual tabs socket type,包括数据信号、控制信号和电源地等引脚。
- 引脚功能详细描述了每个引脚的信号名称和功能。
### 参数特性
- 工作电压:3.3V
- 时钟频率:133/100 MHz(最大)
- LVTTL接口
- 数据总线宽度:64位,无奇偶校验
- 单脉冲RAS
- 4个Bank可以同时独立操作
- 突发读写操作和突发读/单写操作能力
- 可编程突发长度:1/2/4/8
- 2种突发序列:顺序和交错
### 功能详解
- 包括模块数据宽度、接口信号电平、SDRAM周期时间、SDRAM访问从时钟等详细参数。
- 详细描述了SDRAM的访问时间、延迟、刷新周期等操作特性。
### 应用信息
- 适用于需要高密度存储的场合,无需表面贴装技术即可实现高密度安装。
- 提供常见的数据输入输出,旁边安装了去耦电容。
### 封装信息
- 144-pin Zig Zag Dual tabs socket type,外形尺寸为38.00 mm(长度)× 30.00 mm(高度)× 3.80 mm(厚度),引脚间距为0.50 mm。