HB52D328DC-B6B

物料型号： - HB52D328DC-B

器件简介： - HB52D328DC是一款16M×64×2 banks的同步动态RAM小外型双列直插式存储模块（S.O.DIMM），封装了8片256Mbit的SDRAM（HM5225165BTT）和1片用于存在检测（PD）的串行EEPROM（2-kbit）。

引脚分配： - 共有144个引脚，采用Zig Zag Dual tabs插座类型，具有以下主要信号： - Vss和Vcc为电源和地。 - DQ0到DQ63为数据引脚。 - A0到A12为地址引脚。 - BA0/BA1为银行选择引脚。 - CK0/CK1为主时钟输入引脚。 - CKE0/CKE1用于确定下一个CK是否有效。 - DQMB0到DQMB7为输出缓冲控制引脚。

参数特性： - 3.3V电源供电。 - 时钟频率：100MHz（最大）。 - LVTTL接口。 - 数据总线宽度：64位，无奇偶校验。 - 单脉冲RAS。 - 4个银行可以同时独立操作。 - 支持突发读写和单次读写操作。 - 可编程突发长度：1/2/4/8。

功能详解： - 兼容JEDEC标准8字节S.O.DIMM和Intel PCB参考设计。 - 144-pin Zig Zag Dual tabs插座类型。 - 3.3V电源供电。 - 时钟频率最高100MHz。 - LVTTL接口。 - 数据总线宽度64位，无奇偶校验。 - 单脉冲RAS。 - 4个银行可以同时独立操作。 - 支持突发读写和单次读写操作。 - 可编程突发长度：1/2/4/8。

应用信息： - 适用于需要高密度存储的应用场景，无需表面贴装技术即可实现高密度安装。

封装信息： - 144pin Zig Zag Dual tabs插座型，外形尺寸为67.60mm（长）×31.75mm（高）×3.80mm（厚），引脚间距为0.80mm。