HB52E649E12-B6B

### 物料型号 - 型号：HB52E649E12-A6B/B6B - 类型：512 MB Registered SDRAM DIMM - 规格：64-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

### 器件简介 - ELPIDA：E0020H20 (Ver. 2.0) Aug. 20, 2001 (K) - HB52E649E12：属于8-byte DIMM（Dual In-line Memory Module）家族，作为8-byte处理器应用的优化主内存解决方案。该模块安装了18片256-Mbit SDRAM（HM5225405BTT）封装在TSOP封装中，1片PLL时钟驱动器，2片寄存器驱动器和1片用于存在检测（PD）的串行EEPROM（2-kbit）。

### 引脚分配 - 引脚数量：168-pin socket type package (dual lead out) - 引脚描述：文档中详细列出了每个引脚的编号和名称，如Vss、DQ0、DQ1、Vcc等，以及它们对应的功能，例如地址输入、数据输入/输出、芯片选择输入等。

### 参数特性 - 兼容标准：JEDEC标准8-byte DIMM、Intel PCB参考设计（Rev.1.2） - 供电电压：3.3 V - 时钟频率：100 MHz（最大） - 接口：LVTTL - 数据总线宽度：72位ECC - 操作模式：单脉冲RAS、4个Bank可以同时独立操作、突发读写操作能力、可编程突发长度（1/2/4/8）、2种突发序列（顺序、交错）

### 功能详解 - 刷新周期：8192个刷新周期/64 ms - 刷新类型：自动刷新、自刷新 - CE延迟：HB52E649E12-A6B为3/4，HB52E649E12-B6B为4

### 应用信息 - 应用场景：适用于需要高密度安装而无需表面贴装技术的8-byte处理器应用。

### 封装信息 - 封装类型：168-pin双引线外出插座型 - 尺寸：133.37 mm（长度）× 43.18 mm（高度）× 4.00 mm（厚度） - 引线间距：1.27 mm