HB52F649E1-75B

物料型号： - 型号为HB52F649E1-75B，是一款512MB Registered SDRAM DIMM，具有64-Mword × 72-bit的容量，133 MHz的内存总线，1-Bank Module。

器件简介： - HB52F649E1属于8字节DIMM（双列直插式内存模块）家族，作为8字节处理器应用的优化主内存解决方案而开发。该模块安装了18片256-Mbit SDRAM（HM5225405BTT），采用TSOP封装，1片PLL时钟驱动器，3片寄存器驱动器和1片用于存在感检测（PD）的串行EEPROM（2-kbit）。模块采用168-pin插座型封装（双引脚引出），因此HB52F649E1可以在不使用表面贴装技术的情况下实现高密度安装。

引脚分配： - 该模块共有168个引脚，包括多个地线（Vss）、数据线（DQ0-DQ63）、控制信号（如CK0-CK3、A0-A12、BA0/BA1等）和电源线（Vcc）。

参数特性： - 工作电压为3.3V，时钟频率最高为133MHz，采用LVTTL接口，数据总线宽度为72位ECC。 - 支持单脉冲RAS、4个Bank同时独立操作、突发读写操作能力、可编程突发长度（1/2/4/8）和2种突发序列（顺序/交错）。

功能详解： - 模块支持多种操作，包括常规数据输入输出、检查位、芯片选择、行使能（RAS）输入、列使能（CAS）输入、写使能输入等。

应用信息： - 适用于需要高密度内存解决方案的应用，特别是在不使用表面贴装技术的情况下。

封装信息： - 模块采用168-pin插座型封装（双引脚引出），外形尺寸为133.35 mm（长度）× 43.18 mm（高度）× 4.00 mm（厚度），引脚间距为1.27 mm。