HB52RD168GB-F

1. 物料型号： - 型号为HB52RD168GB-F，是一种128MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM，具有16-Mword × 64-bit的容量，100 MHz的内存总线，1-Bank Module。

2. 器件简介： - HB52RD168GB是一款16M × 64 × 1 bank的同步动态RAM Micro Dual In-line Memory Module（Micro DIMM），安装了16片64-Mbit SDRAM（HM5264405FTB）和1片用于Presence Detect（PD）的串行EEPROM。

3. 引脚分配： - 该产品具有144-pin Zig Zag Dual tabs socket type，引脚间距为0.50 mm，外形尺寸为38.00 mm（长度）× 30.00 mm（高度）× 3.80 mm（厚度）。

4. 参数特性： - 供电电压：3.3 V - 时钟频率：100 MHz（最大） - 接口：LVTTL - 数据总线宽度：64位，无奇偶校验 - 单脉冲RAS - 4个Bank可以同时独立操作 - 支持突发读写操作和突发读/单写操作能力 - 可编程突发长度：1/2/4/8/full page

5. 功能详解： - 支持两种突发序列：交错（BL = 1/2/4/8） - 可编程CE延迟：2/3（HB52RD168GB-A6F/A6FL）和3（HB52RD168GB-B6F/B6FL） - 通过DQMB进行字节控制 - 刷新周期：4096个刷新周期/64 ms - 支持自动刷新和自刷新 - 全页突发长度能力 - 低自刷新电流：HB52RD168GB-A6FL/B6FL（L-version）

6. 应用信息： - 适用于需要高密度存储和快速数据访问的应用，如计算机内存扩展等。

7. 封装信息： - 封装类型为Micro DIMM（144-pin），接触垫为金质。