HB52RD328GB-B

物料型号： - HB52RF328GB-B - HB52RD328GB-B

器件简介： HB52RF328GB和HB52RD328GB是32M×64×1 bank的同步动态RAM微型双列直插式内存模块（Micro DIMM），封装了8颗256M位SDRAM（HM522805BTB/BLTB）和1颗用于存在检测（PD）的串行EEPROM（2k位EEPROM）。产品外形为144-pin Zig Zag双引脚插座型，紧凑且薄的封装，使得高密度安装成为可能，而无需表面贴装技术。它们提供公共数据输入和输出，以及解耦电容器安装在模块板的TCP旁边。

引脚分配： - 1至72号引脚为VSS、VCC、DQ数据引脚、CK时钟引脚等。 - 73至144号引脚为NC（无连接）、VSS、CK1、DQ引脚等。

参数特性： - 144-pin Zig Zag双引脚插座型外形，3.3V电源供电，时钟频率133MHz/100MHz（最大值）。 - LVTTL接口，数据总线宽度64位，无奇偶校验。 - 单脉冲/RAS，4个Bank可以同时独立操作。 - 突发读写操作和突发读/单写操作能力，可编程突发长度（BL）：1、2、4、8。 - 2种突发序列变化，可编程/CE延迟（CL）：2、3。 - 刷新周期：8192次刷新/64ms，2种刷新变化。

功能详解： - 模块数据宽度为64位，接口信号电平为LVTTL。 - 支持突发读写操作，具有可编程的突发长度和延迟。 - 具有自刷新功能，低自刷新电流。

应用信息： - 适用于需要高密度内存安装的应用场景，无需表面贴装技术。 - 适用于3.3V电源供电的系统。

封装信息： - 144-pin Zig Zag双引脚插座型，尺寸为38.00mm（长度）×30.00mm（高度）×3.80mm（厚度）。 - 引脚间距为0.50mm。