HB52RF1289E2-75B

物料型号： - 型号为HB52RF1289E2-75B，是一种1GB Registered SDRAM DIMM，具有128-Mword × 72-bit的容量，133 MHz的内存总线，2-bank模块。

器件简介： - HB52RF1289E2属于8字节DIMM（双列直插式内存模块）家族，是为8字节处理器应用开发的优化主内存解决方案。该模块安装了36片256-Mbit SDRAM（HM5225405BTB），采用TCP封装，1片PLL时钟驱动器，3片寄存器驱动器和1片用于存在感检测（PD）的串行EEPROM（2-kbit）。模块外形为168引脚插座型封装（双引线出）。

引脚分配： - 该模块共有168个引脚，每个引脚的功能都有详细描述，例如： - A0到A12：地址输入 - DQ0到DQ63：数据输入/输出 - CB0到CB7：校验位（数据输入/输出） - S0到S3：芯片选择输入 - RE：行使能（RAS）输入 - CE：列使能（CAS）输入 - W：写使能输入 - DQMB0到DQMB7：字节数据掩码 - CK0到CK3：时钟输入 - CKEO：时钟使能输入 - WP：串行PD的写保护 - REGE：寄存器/缓冲器使能 - SDA：串行PD的数据输入/输出 - SCL：串行PD的时钟输入 - SA0到SA2：串行地址输入 - Vcc：主正电源供应 - Vss：地 - NC：无连接

参数特性： - 完全兼容JEDEC标准8字节DIMM - 168引脚插座型封装（双引线出） - 3.3V电源供应 - 时钟频率：133 MHz（最大） - LVTTL接口 - 数据总线宽度：×72ECC - 单脉冲RAS - 4个Bank可以同时独立操作 - 突发读写操作和突发读/单写操作能力 - 可编程突发长度：1/2/4/8 - 2种突发序列变化

功能详解： - 该模块支持多种操作命令，包括读、写等，具体操作取决于输入引脚的电压水平组合。模块还支持多种突发长度和序列，以及不同的CE延迟。

应用信息： - 该模块适用于需要高密度安装的场合，而无需表面贴装技术。提供常见的数据输入和输出，并在模块板上的TCP旁边安装了去耦电容器。

封装信息： - 模块的外形为168引脚插座型封装（双引线出），尺寸为133.37 mm（长度）×38.10 mm（高度）×4.80 mm（厚度），引脚间距为1.27 mm。