HB54A2568FM-A75B

### 物料型号 - HB54A2568FM-A75B/B75B/10B：256M bits DDR SDRAM，32M words × 64 bits, 1 Bank。 - HB54A2569FM-A75B/B75B/10B：256M bits DDR SDRAM，32M words × 72 bits, 1 Bank。

### 器件简介 HB54A2568FM 和 HB54A2569FM 是双数据速率（DDR）SDRAM模块，封装有256M位DDR SDRAM（HM5425801BTT）并密封在TSOP封装中，以及1个用于存在检测（PD）的串行EEPROM（2k位EEPROM）。HB54A2568FM 组织为32M × 64 × 1 bank，安装了8个256M位DDR SDRAM。HB54A2569FM 组织为32M × 72 × 1 bank，安装了9个256M位DDR SDRAM。

### 引脚分配 - 1至184号引脚：包括VREF、DQ0至DQ63、A0至A12、BA0至BA1、/RAS、WE、/S0、CK0至CK2、/CK0至/CK2、DQS0至DQS8、DM0至DM8/DQS9至DQS17等。

### 参数特性 - 184针座类型封装（双引线出）。 - 2.5V电源供应（VCC/VCCQ）。 - SSTL-2接口用于所有输入和输出。 - 时钟频率：143MHz/133MHz/125MHz（最大）。 - 数据输入、输出和DM与DQS同步。 - 4个bank可以同时独立操作。 - 突发读写操作。 - 可编程突发长度：2、4、8。 - 可编程突发序列：顺序交错。 - 起始地址能力：偶数和奇数。 - 可编程/CAS延迟（CL）：2、2.5。 - 8192个刷新周期：7.8μs（8192/64ms）。

### 功能详解 - 通过设置扩展模式寄存器，可以启用或禁用片上延迟锁定环（DLL）。 - 提供常见的数据输入和输出。 - 每个TSOP旁边在模块板上安装了去耦电容器。

### 应用信息 - 产品适用于需要高密度安装而不使用表面贴装技术的场合。

### 封装信息 - 封装类型：184针座类型封装（双引线出）。 - 尺寸：133.35mm（长度）× 31.75mm（高度）× 4.00mm（厚度）。 - 引线间距：1.27mm。