HB54A2569F1U

物料型号： - HB54A2569F1U：32M words × 72 bits × 1 Bank - HB54A5129F2U：64M words × 72 bits × 2 Banks

器件简介： HB54A2569F1U 和 HB54A5129F2U 是数据速率（DDR）SDRAM模块，封装了256M位DDR SDRAM（HM5425801BTT）并使用TSOP封装，以及1个用于存在检测（PD）的串行EEPROM（2k位EEPROM）。HB54A2569F1U由9片256M位DDR SDRAM组成，HB54A5129F2U由18片256M位DDR SDRAM组成。读/写操作在CK和/CK的交叉点执行，通过2位预取流水线架构实现高速数据传输。

引脚分配： - 引脚1至引脚184定义了各种信号，包括VREF、DQS、VSS、VCCQ等，用于不同的功能，如数据输入/输出、参考电压、地、电源等。

参数特性： - 184针座类型封装（双引线出） - 2.5V电源供应（VCC/VCCQ） - SSTL-2接口用于所有输入和输出 - 时钟频率：143MHz/133MHz/125MHz（最大） - 数据输入、输出和DM与DQS同步 - 4个Bank可以同时独立操作 - 突发读写操作 - 可编程突发长度：2、4、8 - 可编程突发序列：连续、交错 - 可编程/CAS延迟（CL）：3、3.5 - 8192个刷新周期：7.8微秒（8192/64ms）

功能详解： - 模块数据宽度为72位 - 模块电压界面水平为SSTL 2.5V - DDR SDRAM周期时间CL=X，不同CAS延迟对应的不同频率下的操作 - SDRAM访问时钟（tAC）不同CAS延迟对应的不同频率下的操作 - DIMM配置类型为ECC - 刷新率/类型为7.8us自刷新

应用信息： - 产品适用于需要高密度安装而无需表面贴装技术的场合，提供公共数据输入输出，每个TSOP旁边都安装了解耦电容器。

封装信息： - 外形尺寸为133.35mm（长度）× 30.48mm（高度）× 4.00mm（厚度） - 引脚间距为1.27mm