HB54A2569FM-A75B

物料型号： - HB54A2568FM-A75B/B75B/10B：256MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM，32M words × 64 bits, 1 Bank。 - HB54A2569FM-A75B/B75B/10B：256MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM，32M words × 72 bits, 1 Bank。

器件简介： - 这两款产品是双数据速率（DDR）SDRAM模块，封装了256M位DDR SDRAM（HM5425801BTT）并采用TSOP封装，以及1个用于存在检测（PD）的串行EEPROM（2k位EEPROM）。HB54A2568FM由8片256M位DDR SDRAM组成，而HB54A2569FM由9片组成。读/写操作在CK和/CK的交叉点执行，通过2位预取流水线架构实现高速数据传输。

引脚分配： - 两款产品均采用184针座类型封装（双引线出），引脚包括VCCQ、A11、DQ48、VSS等，具体分配详见文档中的“Pin Configurations”部分。

参数特性： - 184针座类型封装（双引线出），2.5V电源供应（VCC/VCCQ），SSTL-2接口用于所有输入输出，时钟频率为143MHz/133MHz/125MHz（最大值），数据输入输出和DM与DQS同步，可同时独立操作4个Bank，突发读写操作，可编程突发长度：2、4、8，可编程突发序列：顺序交错，可编程/CAS延迟（CL）：2、2.5。

功能详解： - 模块支持突发读写操作，可编程突发长度和序列，以及不同的/CAS延迟设置。模块还支持自动刷新和自刷新功能，以及通过设置扩展模式寄存器来启用或禁用片上延迟锁定环（DLL）。

应用信息： - 产品适用于需要高密度安装而无需表面贴装技术的场合，提供通用数据输入输出，并在每个TSOP旁边安装去耦电容器。

封装信息： - 封装类型为184针座类型封装（双引线出），尺寸为133.35mm（长度）× 31.75mm（高度）× 4.00mm（厚度），引脚间距为1.27mm。