HB54A5129F2-B75B

1. 物料型号： - HB54A2569F1：32M words × 72 bits × 1 Bank - HB54A5129F2：64M words × 72 bits × 2 Banks

2. 器件简介： - 这两款器件是DDR SDRAM模块，封装了256M位DDR SDRAM（HM5425801BTT）在TSOP封装中，包含1个PLL时钟驱动器、2个寄存器驱动器和1个用于存在检测（PD）的串行EEPROM（2k位EEPROM）。

3. 引脚分配： - 184针座类型封装（双引脚出线），尺寸为133.35mm（长度）× 43.18mm（高度）× 4.00mm（厚度），引脚间距为1.27mm。

4. 参数特性： - 供电电压：2.5V（VCC/VCCQ） - 接口：SSTL-2接口用于所有输入输出 - 时钟频率：143MHz/133MHz/125MHz（最大值） - 数据输入输出和DM与DQS同步 - 支持突发读写操作，可编程突发长度：2、4、8

5. 功能详解： - 通过设置扩展模式寄存器，可以启用或禁用片上延迟锁定环（DLL）。 - 支持4个银行同时独立操作。 - 支持编程突发序列：连续、交错。 - 支持编程/CAS延迟（CL）：3、3.5。 - 刷新周期：8192个周期，7.8μs（8192/64ms）。

6. 应用信息： - 适用于需要高密度安装而无需表面贴装技术的场合，提供常见的数据输入输出。

7. 封装信息： - 184针座类型封装（双引脚出线），因此可以实现高密度安装。