HB54A5129F2U-A75B

1. 物料型号： - HB54A2569F1U (32M words × 72 bits, 1 Bank) - HB54A5129F2U (64M words × 72 bits, 2 Banks)

2. 器件简介： - 这两款器件是DDR SDRAM模块，封装了256M位DDR SDRAM（HM5425801BTT）和1片串行EEPROM（2k位EEPROM）用于存在检测（PD）。 - HB54A2569F1U由9片256M位DDR SDRAM组成，HB54A5129F2U由18片256M位DDR SDRAM组成。 - 读写操作在CK和/CK的交叉点进行，通过2位预取流水线架构实现高速数据传输。 - 通过设置扩展模式寄存器，可以启用或禁用片上延迟锁定环（DLL）。

3. 引脚分配： - 引脚配置表格详细列出了每个引脚的编号和名称，如VREF、DQS8、VSS等。

4. 参数特性： - 184针座类型封装（双引线出）。 - 2.5V电源供应（VCC/VCCQ）。 - SSTL-2接口用于所有输入和输出。 - 时钟频率：143MHz/133MHz/125MHz（最大）。 - 数据输入、输出和DM与DQS同步。 - 4个银行可以同时独立操作。 - 突发读写操作。 - 可编程突发长度：2、4、8。 - 可编程突发序列：连续、交错。 - 可编程/CAS延迟（CL）：3、3.5。 - 8192次刷新周期：7.8微秒。

5. 功能详解： - 详细操作部分、交流特性和时序波形图请参考HM5425161B/HM5425801B/HM5425401B系列数据手册。

6. 应用信息： - 产品设计应确保产品在Elpida Memory保证的范围和条件下使用，包括最大额定值、工作电源电压范围、散热特性、安装条件等。 - 产品不设计为抗电磁波或辐射，必须在非凝结环境中使用。

7. 封装信息： - 物理外形图提供了模块的尺寸和公差信息。