EMB12N10VS

EMB12N10VS     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  RDSON (MAX.)  100V  12mΩ  ID  32A  D G   UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Gate‐Source Voltage  SYMBOL  LIMITS  UNIT  VGS  ±20  V  TC = 25 °C  Continuous Drain Current  32  ID  TA = 25 °C  12  TA = 70 °C  9  Pulsed Drain Current1  IDM  96  Avalanche Current  IAS  20  L = 0.1mH, ID=21A, RG=25Ω  EAS  22  L = 0.05mH  EAR  11  Avalanche Energy  2 Repetitive Avalanche Energy   Power Dissipation  TC = 25 °C  mJ  21  PD  TC = 100 °C  Power Dissipation  A  W  8.3  TA = 25 °C  2.5  PD  TA = 100 °C  W  1  Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  Junction‐to‐Case  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  RJC    6  UNIT  °C / W  Junction‐to‐Ambient  1 RJA    50  Pulse width limited by maximum junction temperature.  2017/3/6  p.1    2 EMB12N10VS   Duty cycle  1％  ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  MIN  TYP UNIT MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = 250A  100      Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = 250A  1.0  2.0 3.0  Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±12V      ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = 80V, VGS = 0V      1  A VDS = 70V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      25  1 On‐State Drain Current   ID(ON)  VDS = 5V, VGS = 10V  32      Drain‐Source On‐State Resistance1  RDS(ON)  VGS = 10V, ID = 12A    10 12  VGS = 4.5V, ID = 10A    12 15  VDS = 5V, ID = 12A    45   Forward Transconductance1  gfs  V  A  mΩ S  DYNAMIC  Input Capacitance  Ciss      2130   Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = 50V, f = 1MHz    336   Reverse Transfer Capacitance    Crss    29   Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    1.5   Qg(VGS=10V) VDS = 50V, VGS = 10V,    38     23   Qgs    10   Qgd    8.2   Total Gate Charge1,2  Qg(VGS=4.5V) 1,2 Gate‐Source Charge   1,2 Gate‐Drain Charge   1,2 Turn‐On Delay Time   Rise Time1,2  1,2 Turn‐Off Delay Time   1,2 Fall Time   ID = 12A  td(on)      6    tr   VDS = 50V,      10   td(off)  ID = 12A, VGS = 10V, RGS = 6Ω    8    tf      25   pF Ω  nC nS SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)  Continuous Current  IS        32  Pulsed Current   ISM        96  Forward Voltage1  VSD  IF = 12A, VGS = 0V      1.2  V  Reverse Recovery Time    trr  IF = 12A, dlF/dt = 100A / S    30   nS Reverse Recovery Charge  Qrr      130   nC 3 2017/3/6  p.2  A  EMB12N10VS     1 Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％.  2 Independent of operating temperature.  3 Pulse width limited by maximum junction temperature.  Ordering & Marking Information:  Device Name: EMB12N10VS for EDFN 3 x 3      B12   N10S   ABCDEFG       Outline Drawing                            B12N10S: Device Name  ABCDEFG: Date Code  A1 Θ1 b E1 E 0.10 e c A D D1 L E3 E2 L1 Dimension in mm  A1  b  c  D  D1  E  E1  E2  E3  e  L  L1  Ѳ1    Min.  0.70  0  0.24  0.10  2.95 2.25 3.15 2.95 1.65     0.30    0∘    Typ.  0.80    0.30  0.152 3.00 2.35 3.20 3.00 1.75 0.575 0.65  0.40  0.13 10∘    Max.  0.90  0.05  0.37  0.25  3.15 2.45 3.40 3.15 1.96     0.50    12∘  2017/3/6  0.65 0.4 0.5 2.05 2.6 0.6 Recommended minimum pads           0.6 A  3.75 Dimension  p.3  EMB12N10VS       TYPICAL CHARACTERISTICS  On‐Region Characteristics 100 On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage 2.4 V   = 10V GS 2.2               R         ‐Normalized DS(ON) Drain‐Source On‐Resistance 8.0V 80 I  ‐ Drain Current( A ) D 7.0V 4.5V 60 40 20 2.0 1.8 1.6 V    = 4.5 V GS 1.4 7.0 V 1.2 8.0 V 10 V 1.0 0 0.8 5 0 On‐Resistance Variation with Temperature 20 40 60 I   ‐ Drain Current( A ) D R        ‐ On‐Resistance(  Ω) DS(ON) 1.0 0.028 0.024 0.020 0.016 T   = 125°C A 0.012 0.7 T   = 25°C A 0.008 0.4 ‐50 ‐25 75 0 25 50 100 T   ‐ Junction Temperature ( °C ) J 125 T   = ‐55°C A 25°C Is ‐ Reverse Drain Current( A ) V   = 10V DS 125°C 40 30 20 10 0 1 2 3 4 V   ‐ Gate‐Source Voltage( V ) GS 4 2 5 10 8 6 V   ‐ Gate‐Source Voltage( V ) GS 10 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 50 2017/3/6  0.004 150 Transfer Characteristics 60 100 I   = 10 A D 0.032 1.3 80 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage 0.036 I   = 12A D V   = 10V GS 1.6      R        ‐ Normalized DS(on) Drain‐Source On‐Resistance 4 3 2 V   ‐ Drain Source Voltage( V ) DS 1 0 1.9 I  ‐ Drain Current( A ) D                                                                     V    = 0V GS 1 T   = 125°C A 0.1 25°C ‐55°C 0.01 0.001 0 0.2 0.6 0.8 1.0 1.2 0.4 V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V ) SD 1.4 p.4  Gate Charge Characteristics 10 Capacitance Characteristics 4000 f  =  1MHz V    = 0 V GS I   = 12A D V    ‐ Gate Source Voltage( V ) GS 8 V     = 25V DS 3000 50V Capacitance( pF ) 6 4 2 Ciss 2000 Coss 1000 Crss 0 10 0 20 Q   ‐ Gate Charge( nC ) g 30 0 40 Maximum Safe Operating Area   )L    (O  N im it 50 75 V   ‐ Drain‐Source Voltage( V ) DS Single Pulse R    = 50°C/W θJA T  = 25°C A 100 μ s P( pk ),Peak Transient Power( W ) 1ms 10 10ms 100ms 1 1s DC 0.1   V   = 10V GS   Single Pulse   R   = 50°C/W  JA   T   = 25°C A 0.01 0.1 1 10 40 30 20 10 0 0.001 1000 100 V    ‐ Drain‐Source Voltage( V ) DS 100 Single Pulse Maximum Power Dissipation 50 R  D S I   ‐ Drain Current( A ) D 25 0 100 0.01 1 0.1 t  ,Time ( sec ) 1 10 100 1000 Transient Thermal Response Curve 1 Duty Cycle = 0.5     r( t ),Normalized Effective Transient Thermal Resistance                                                                         EMB12N10VS   0.2 0.1 0.1 0.05 Notes: 0.02 P DM 0.01 t1 0.01 t2 1.Duty Cycle,D = t1 t2 Single Pulse 2.R     = 50°C/W θJA 3.T  ‐  T   = P * R     (t) θJA J A 4.R    (t)=r(t) * R JA θJA θ 0.001 ‐4 10 2017/3/6  10 ‐3 10 ‐2 ‐1 10 t  ,Time (sec) 1 1 10 100 1000 p.5