EMF20B02V

EMF20B02V     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  RDSON (MAX.)  ‐20V  20mΩ  ID  ‐8.5A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Gate‐Source Voltage  SYMBOL  LIMITS  UNIT  VGS  ±12  V  TA = 25 °C  Continuous Drain Current  ID  ‐8.5  TA = 70 °C  Pulsed Drain Current1  Power Dissipation  ‐6  IDM  TA = 25 °C  ‐34  2  PD  TA = 70 °C  A  W  1.28  Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  Junction‐to‐Case  RJC    25  Junction‐to‐Ambient3  RJA    62.5  UNIT  °C / W  1 Pulse width limited by maximum junction temperature.  2 Duty cycle  1％  3 62.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.        2013/1/10  p.1  EMF20B02V     ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  MIN  TYP UNIT MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = ‐250A  ‐20  Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = ‐250A  ‐0.4  ‐0.75 Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±12V      ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = ‐16V, VGS = 0V      ‐1  A VDS = ‐12V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      ‐10  ID(ON)  VDS = ‐5V, VGS = ‐4.5V  ‐8.5      RDS(ON)  VGS = ‐4.5V, ID = ‐8.5A    15 20  VGS = ‐2.5V, ID = ‐4.5A    19 25  VGS = ‐1.8V, ID = ‐2.5A    26 40  VDS = ‐5V, ID = ‐8.5A    22   On‐State Drain Current1  1 Drain‐Source On‐State Resistance   Forward Transconductance1  gfs      V  ‐1.2 A  mΩ S  DYNAMIC  Input Capacitance  Ciss      3050   Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = ‐10V, f = 1MHz    460   Reverse Transfer Capacitance    Crss    410   1,2 Total Gate Charge   Qg(VGS=‐4.5V)     27   Qg(VGS=‐2.5V) VDS = ‐10V, VGS = ‐4.5V,    16.5     2.2     6.8   Gate‐Source Charge1,2  Qgs  Gate‐Drain Charge1,2  Qgd  1,2 Turn‐On Delay Time   1,2 Rise Time   Turn‐Off Delay Time1,2  Fall Time1,2  ID = ‐8.5A  td(on)      20   tr   VDS = ‐10V,      50   td(off)  ID = ‐1A, VGS = ‐4.5V, RGS = 6Ω    90   tf      60   pF nC nS SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)  Continuous Current  IS        ‐2.3 Pulsed Current3  ISM        ‐9.2 Forward Voltage1  VSD  IF = IS, VGS = 0V      ‐1.2 1 Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％.  2 Independent of operating temperature.  3 Pulse width limited by maximum junction temperature.  2013/1/10  p.2  A  V  EMF20B02V       Ordering & Marking Information:  Device Name: EMF20B02V for EDFN 3 x 3        F20 B02         F20B02: Device Name  ABCDEFG ABCDEFG: Date Code    Outline Drawing                        E E1 0.10 c e A D D1 D2 L E3 E2 L1 Dimension in mm  A  A1  b  c  D  D1  D2  E  E1  E2  E3  e  L  L1  Ѳ1    Min.  0.70  0  0.24 0.10  2.95  2.25   3.15 2.95 1.65     0.30  0  0∘    Typ.  0.80    0.30 0.152  3.00  2.35 0.225 3.20 3.00 1.75 0.575 0.65  0.40    10∘   Max.  0.90  0.05  0.35 0.25  3.05  2.45   3.25 3.05 1.85     0.50  0.10  12∘ 2013/1/10  3.5 0.25 0.4 1.85 2.375   Recommended minimum pads 2.35 1.05           0.65   0.5 Dimension  p.3  EMF20B02V     TYPICAL CHARACTERISTICS  Typical output characteristics ‐3.5V 20 ‐3.0V ‐2.5V 10 I   = ‐ 4.5A D 0.06 ‐4.0V 30 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage 0.07 V   = ‐4.5 V GS 0.05 R        ‐ On‐Resistance(  Ω) DS(ON) ‐I  ‐ Drain Current( A ) D 40 0.04 0.03 T   = 125°C A 0.02 T   = 25°C A 0.01 ‐1.8V 0 0 0 0.5 1.5 1.0 2.0 ‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V ) DS 0 2.5 On‐Resistance Variation with Temperature 1.6 ‐ V    ‐ Gate‐Source Voltage( V ) GS 1.2 1.0 0.8 ‐25 7 4 5 6 8 3 ‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V ) GS 2 9 10 Gate Charge Characteristics I   = ‐ 8.5A D 1.4 0.6 ‐50   1 5 I      = ‐8.5 A D V     = ‐4.5V GS        R        ‐ Normalized DS(on) Drain‐Source On‐Resistance                                       0 25 50 75 100 T   ‐ Junction Temperature (°C) J 125 4 3 V     = ‐ 5V DS ‐ 10V 2 1 0 150 24 16 Q   ‐ Gate Charge( nC ) g 8 0   32 40     Capacitance Characteristics 6000       4000 Capacitance( pF )   V    = 0V GS ‐Is ‐ Reverse Drain Current( A )     f =1MHz VGS=0 V 5000 Ciss 3000 2000 1000     0 Coss Crss 0   5 10 15 ‐ V   , Drain‐Source Voltage( V ) DS Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 20 10 1 T   = 125°C A 0.1 ‐55°C 25°C 0.01 0.001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 ‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V ) SD       2013/1/10  p.4  EMF20B02V                     50 1.25 P( pk ),Peak Transient Power( W ) ‐V       ‐Gate Threshold Voltage( V ) GS(th)   Single Pulse Maximum Power Dissipation Gate Threshold Voltage v.s. Junction Temperature 1.5 1.0 0.75 0.50 0.25   0 ‐50   0 50 100 40 30 20 10 0 0.001 150 T   ‐ Junction Temperature (°C) J Single Pulse R    = 62.5°C/W θJA T  = 25°C A 0.01 1 0.1 t  ,Time ( sec ) 1 10 100 1000     Maximum Safe Operating Area 100 ‐I   ‐ Drain Current( A ) D           it  Lim  (O  N  ) R D S  10 10ms 100ms 1s 10s DC 1 V   = ‐4.5V GS Single Pulse R     = 62.5°C/W JA T   = 25°C A 0.1     100μs 1ms 0.01 0.1 1 10 ‐V    ‐ Drain‐Source Voltage( V ) DS   100     Transient Thermal Response Curve   1     r(t),Normalized Effective Transient Thermal Resistance             Duty Cycle = 0.5 0.2 Notes: 0.1 0.1   P DM t1 t2 0.05 1.Duty Cycle,D = t2 Single Pulse 0.02 2.R     =62.5°C/W θJA 3.T  ‐  T   = P * R     (t) θJA A J 0.01 0.01 10     ‐4 t1 4.R    (t)=r(t) * R θJA θJA 10 ‐3 10 ‐2 ‐1 10 1 t1  ,Time ( SEC ) 10 100 1000     2013/1/10  p.5