EPC2054

- 物料型号：EPC2054 - 器件简介：eGaN® FET，采用氮化镓技术，具有高电子迁移率和低温度系数，提供极低的RDS(on)和零QRR。 - 引脚分配：Pad 1 是栅极(Gate)，Pad 3 是漏极(Drain)，Pad 2 和 Pad 4 是源极(Source)。 - 参数特性： - 漏源电压(VDS)：200V - 栅源电压(Vgs)：最高6V，负电压可承受-4V - 工作温度范围：-40℃ 至 150℃ - 存储温度范围：-40℃ 至 150℃ - 功能详解：适用于高速DC-DC转换、无线功率传输、高频硬开关和软开关电路、激光雷达/飞行时间(ToF)、自动化、太阳能、D类音频等领域。 - 应用信息：提供超高频效、超低RDS(on)、超低QG和超小尺寸的优势。 - 封装信息：EPC2054 FET仅以钝化裸片形式供应，尺寸为1.3 mm x 1.3 mm。封装细节包括胶带和卷轴配置，以及裸片的尺寸和标记。