EPC2102ENG

物料型号：EPC2102

器件简介： EPC2102是一款增强型氮化镓(GaN)功率晶体管半桥，具有60V的漏源电压(VDS)和4.9mΩ的导通电阻(RDS(on))，能够承受高达30A的电流(ID)。该器件利用氮化镓的高电子迁移率和低温度系数，实现了极低的导通电阻和零反向恢复电荷(QRR)。

引脚分配： - Pad 2是G1 - Pad 3是Q1栅极返回 - Pad 4是G2 - Pads 1, 11, 12, 13, 21, 22, 23, 31, 32, 33, 41, 42, 51, 52是VIN - Pads 5, 14, 15, 24, 25, 34, 35, 43, 44, 45, 53, 54, 55, 63, 64, 65, 73, 74, 75是地线 - Pads 6, 7, 8, 9, 10, 16, 17, 18, 19, 20, 26, 27, 28, 29, 30, 36, 37, 38, 39, 40, 46, 47, 48, 49, 50, 56, 57, 58, 59, 60, 66, 67, 68, 69, 70是开关节点

参数特性： - 最大漏源电压(VDs)：60V - 连续漏电流(ID)：30A - 栅源电压(VGs)：6V - 工作温度范围：-40℃至150℃ - 存储温度范围：-40℃至150℃

功能详解： EPC2102适用于高频DC-DC转换，具有高频操作、超高效和高密度的优势。

应用信息： - 高频DC-DC转换

封装信息： - 封装形式：仅以有焊点的钝化裸片形式供应 - 芯片尺寸：6.05 mm x 2.3 mm - 胶带和卷轴配置：8 mm节距，12 mm宽胶带在7英寸卷轴上