EPC2801

物料型号：EPC2801

器件简介： EPC2801是一款增强型功率晶体管，采用氮化镓(GaN)技术，具有100V的漏源电压(VDSS)和25A的连续漏电流(ID)。它利用GaN的高电子迁移率和低温度系数，实现了极低的导通电阻(RDS(ON))。适用于高速DC-DC转换、D类音频放大和硬开关及高频电路。

引脚分配： - 1号引脚：栅极(Gate) - 2号引脚：基板(Substrate) - 3、5、7、9、11号引脚：漏极(Drain) - 4、6、8、10号引脚：源极(Source)

参数特性： - 最大漏源电压(VDs)：100V，脉冲模式下可达120V - 栅源电压(VGs)：最高6V，负电压可达-5V - 工作温度(Tj)：-40°C至125°C - 存储温度(Tstg)：-40°C至150°C

功能详解： EPC2801具有超高频开关能力，低导通损耗和低寄生参数，提供了高效率和小型化的优势。数据手册详细列出了静态特性、源漏特性、热特性和动态特性等参数。

应用信息： 适用于高速DC-DC转换器、D类音频放大器和硬开关及高频电路。

封装信息： EPC2801采用95%铅/5%锡的高铅焊点完成，仅以钝化裸片形式供应。封装细节包括尺寸、标记和推荐的焊盘图案。