EPC2815

物料型号：EPC2815

器件简介：EPC2815是一种增强型功率晶体管，具有40V的漏源电压和33A的连续漏电流。

它采用了氮化镓(GaN)技术，与标准CMOS设备一起在硅晶片上生长和加工。

GaN的高电子迁移率和低温度系数使其具有极低的RDS(ON)，同时其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。

EPC2815 eGaN® FETs仅以带焊条的钝化裸片形式供应。

引脚分配：1号引脚为栅极(Gate)；2号引脚为空焊盘(Substrate)；3, 5, 7, 9, 11号引脚为漏极(Drain)；4, 6, 8, 10号引脚为源极(Source)。

参数特性： - 漏源电压(VDSS)：40V - 栅源电压(Vgs)：最高6V - 连续工作温度(T)：-40°C 至 150°C - 存储温度(TSTG)：-40°C 至 150°C - RDS(ON)：3.2mΩ典型值 - QG（总栅极电荷）：10.5nC典型值

功能详解： - 适用于高速DC-DC转换、Class D音频、硬开关和高频电路，具有超高频效率、超低RDS(on)和超小占用面积。

应用信息： - 高速DC-DC转换 - Class D音频 - 硬开关和高频电路

封装信息： - 高铅焊点完成：95%铅/5%锡 - 胶带和卷轴配置：4mm节距，12mm宽胶带在7英寸卷轴上 - 推荐焊盘图案：单位为微米，1号焊盘为栅极，3, 5, 7, 9, 11号焊盘为漏极，4, 6, 8, 10号焊盘为源极，2号焊盘为衬底。

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eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation的注册商标。