SG-636SCE

Crystal oscillator 小型SOJ高周波水晶発振器 SG-636シリーズ ●C-MOS IC使用による低消費電力 ●小型SMDパッケージにより、高密度実装  が可能 ●耐熱型シリンダAT水晶振動子内蔵で一般  SMD ICと同等のハンダ付け方法が可能 ●アウトプットイネーブル機能、スタンバイ  機能付き 原寸大 ■仕 様（特性） 項     目 出力周波数範囲 電源電圧 温度範囲 最大供給電圧 動 作 電 圧 保 存 温 度 動 作 温 度 記 号 fO 仕  様 SG-636PTF SG-636PTJ SG-636PH SG-636SCE/PCE 2. 21675MHz 41. 0001MHz∼70. 0000MHz   ∼41. 0000MHz 条    件 2. 21675MHz   ∼41. 0000MHz ハンダ付け条件 周波数安定度 消 費 電 流 ディセーブル時電流 デ ュー テ ィ VDD-GND ー0. 5V∼＋7. 0V ー0. 3V∼＋7. 0V ー0. 5V∼＋7. 0V VDD 5. 0V±0. 5V 3. 3V±0. 3V TSTG  ー55℃∼＋100℃ TOPR ー20℃∼＋70℃ 。 260 C以下×10秒以内×２回 TSOL  f / fO lop lOE tW / t VOH VOL N CL VIH VIL tTLH tTHL tOSC fa S. R. C ±100ppm ： 35mA max. 28mA max. 20mA max. ー 45％∼55％ 2. 4V min. 40％∼60％ 17mA max. 10mA max. 40％∼60％ 9mA max. 5mA max. 無負荷 OE＝GND  ST＝GND, 2μA max. (SCE) C-MOS負荷：１/２VDD レベル TTL負荷： 1. 4Vレベル IOH＝−８mA TF）−400μA TJ）−４mA H/SCE/PCE） （P / （P / （P IOL＝16mA TF）８mA TJ）４mA H/SCE/PCE） （P / （P / （P CL≦15PF “H”レベル出力電圧 “L”レベル出力電圧 出力負荷条件 T T L ） （ 出力負荷条件 C -MO S ） （ “H”レベル入力電圧 “L”レベル入力電圧 出力上昇時間 出力下降時間 発振開始時間 経 時 変 化 耐 衝 撃 性 VDD−0. 4V min. 10TTL max. 50pF max. 2. 0V min. 45％∼55％ ー VDD−0. 4V min. 0. 4V max. ー ５TTL max. ５LSTTL max. 20pF max（≦55MHz） . 15pF max. 30pF max. 15pF max（＞55MHz） . 3. 5V min. 2. 0V min. 0. 8VDD min. 0. 8V max. 0. 2VDD max. ５ns max. ー ５ns max. ー 4ms max. 0. 8V max. 1. 5V max. ７ns max. ー ５ns max. ７ns max. ー ５ns max. 4ms max. OE端子,   ST端子 CE） （S C-MOS負荷：20％→80％VDDレベル TTL負荷：0. 4V→2. 4Vレベル C-MOS負荷：80％→20％VDDレベル TTL負荷：2. 4V→0. 4Vレベル 最低動作電圧時tを０とする Ta＝25℃， 初年度 硬木上75cm× ３回または3000G ×0. 3ms. × ２Sine Wave× １/ ３方向 10ms max. ±５ppm / 年 max. ±20ppm max. モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合があります。 ■外形寸法図 端子番号 （単位：mm） ■推奨ハンダ付けパターン図 信号名 （単位：mm） 10. 5max. ＃4 ＃3 SG-636SCE SG-636P＊ ＊ GND OUT VDD GND OUT VDD ２ ３ ４ 5. 0 E ＃1 18.4320C PTF9352A ＃2 5. 8max. 2. 7 max. 0. 5 5. 08 （1. 0） 3. 6 （1. 0） 1. 3 3. 8 1. 3 33 0. 05 min. 2. 1 2. 5 2. 1 １ ST OE