SG-645PTG

Crystal oscillator SOJ高周波水晶発振器 SG-645シリーズ 製品型番（１ページを参照） Q33645xxxxxxx00 高密度実装可能なSMDタイプ 動作電圧は3.3 Vと5.0 Vを用意 ● 周波数範囲は、2.5 MHzから135 MHz ● アウトプットイネーブル機能（OE） または スタンバイ機能 T） （S により消費電力の低減可能 ● ● 原寸大 ■仕 様（特性） 項     目 出力周波数範囲 電源電圧 温度範囲 最大供給電圧 動 作 電 圧 保 存 温 度 動 作 温 度 記 号 fO V D-GND D VDD TSTG TOPR  f / fO lOP lOE lST tW / t VOH VOL CL VIH VIL tTLH 仕        様 SG-645PTG SG-645PHG -0. 5 V∼+7. 0 V 4. 5 V∼5. 5 V -55 ˚C∼+125 ˚C 2. 7 V∼3. 6 V 単品での保存 SG-645PCG/ CG S 2. 5000 MHz∼33. 0000 MHz 条      件 P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く 周波数安定度 消 費 電 流 ディセーブル時電流 スタンバイ時電流 デューティ -40 ˚C∼+85 ˚C Ｂ: ±50 × 10-6 Ｃ: ±100 × 10-6 M: ±100 × 10-6 25 mA Max. 12 mA Max. 20 mA Max. ー ー 40 %∼60 % 2. 4 V Min. – – 0. 4 V Max. 10 mA Max. 50 µA Max. 45 %∼55 % P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く B, C: -20 ˚C∼+70 ˚C, M:-40 ˚C∼+85 ˚C 無負荷時 OE=GND(P＊G) ST=GND(SCG) 50 % VDD, CL=25 pF 1. 4 Vレベル, CL=25 pF I OH=-8 mA I OH=-16 mA I OL=8 mA I OL=16 mA “H”レベル出力電圧 “L”レベル出力電圧 出力負荷条件（ C MO S ） ー – V D-0. 4 V Min. D – V D-0. 4 V Min. D 0. 4 V Max. – 25 pF 70 % VDD Min. 20 % VDD Max. 4 ns Max. ー ー 4 ns Max. ー ー “H”レベル入力電圧 “L”レベル入力電圧 出力上昇時間 出力下降時間 発振開始時間 経 時 変 化 耐 衝 撃 性 tTHL tOSC fa S. R. 2. 0 V Min. 0. 8 V Max. 3. 4 ns Max. ー 1. 2 ns Max. ー 2. 4 ns Max. ー 3. 4 ns Max. ー 1. 2 ns Max. ー 2. 4 ns Max. ー 12 ms Max. ±5 × 10-6 / 年 Max. -6 ±20 × 10 Max. OE , ST 20 %∼80 % VDD, CL≦25 pF 0. 8 V∼2. 0 V, CL≦25 pF 0. 4 V∼2. 4 V, CL≦25 pF 80 %∼20 % VDD, CL≦25 pF 2. 0 V∼0. 8 V, CL≦25 pF 2. 4 V∼0. 4 V, CL≦25 pF 最小値動作電圧のtを０とする Ta=+25 ℃, VDD=5. 0 V / 3. 3 V, 初年度 硬木上750 mm × 3回または 29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向 ■標準周波数 MHz） （ 2. 5 3. 6864 5. 0 2. 8125 3. 6873625 5. 625 3. 072 3. 75 6. 144 3. 125 3. 84 6. 25 3. 375 4. 0 6. 75 3. 579545 4. 096 7. 15909 7. 3728 7. 374725 7. 5 7. 68 8. 0 8. 192 10. 0 14. 7456 11. 25 14. 74945 12. 288 15. 0 12. 5 15. 36 13. 5 16. 0 14. 31818 16. 384 20. 0 22. 5 24. 576 25. 0 27. 0 28. 63636 29. 4912 29. 4989 30. 0 30. 72 32. 0 32. 768 ■外形寸法図 7.1±0. 2 #4 #3 ■ （単位：mm） 推奨はんだ付けパターン図 NO. 2 ピン端子   GND 1  OE or ST 4.6±0. 2 （単位：mm） 1.8 3   OUT 4   VDD 5.1±0. 2 1.5 Max. 0.15 (0.75) 3.8 (0.75) #1 #2 0.4 5.08 0 Min. ■端子説明 OE端子 PT, PH, PC, PTW, PHW, PCW） （ OE端子= H” “Open”OUT端子に所定の周波数を出力 “ or ： OE端子= L ”出力停止、 UT端子は、 イ ン ーダンス “： O ハイピ ST端子 ST, SH, SC, STW, SHW, SCW） （ ST端子= H” “Open”OUT端子に所定の周波数を出力 “ or ： ST端子= L ”発振停止、 UT端子は、 ィ ク ルダウ “： O ウー プ ン 4.2 5.08 ※モール 部よ 内蔵の金属ケースの一部が見える場合があ ますが、 ド り り 特性に影響はあ ません。 り 39 2.0 E 135.00C PCW 0245A Crystal oscillator ■仕 様（特性） 項     目 出力周波数範囲 電源電圧 温度範囲 最大供給電圧 動 作 電 圧 記 号 fO VDD-GND VDD TSTG TOPR SG-645 PTW/STW 仕        様 SG-645 PHW/SHW 32.0001 MHz∼135. 0000 MHz SG-645 PCW/SCW 条      件 P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く 3.0 V∼3.6 V -40 ˚C∼+85 ˚C Ｍ：±100 × 10-6 28 mA Max. 16 mA Max. 保 存 温 度 動 作 温 度 -20 ˚C∼+70 ˚C – 45 mA Max. 30 mA Max. ー 4.5 V∼5.5 V -55 ˚C∼+125 ˚C Ｂ：±50 × 10-6 Ｃ：±100 × 10-6 -0.5 V∼+7.0 V P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く 無負荷 (f0=135 MHz) OE=GND(P＊W), f0=135 MHz ST=GND(S＊W) 50 % VDD, CL=Max. 50 % VDD, CL=25 pF (f0≦66. 6667 MHz) 1.4 V, CL=Max. 1.4 V, 5TTL+15 pF (f0≦66. 6667 MHz) 50 % VDD, CL=15 pF lOH=-16 mA (＊TW / ＊HW) lOH=-8 mA (＊CW) lOH=16 mA (＊TW / ＊HW) lOH=8 mA (＊CW) (f0≦135 MHz) (f0≦90 MHz) (f0≦66. 6667 MHz) (f0≦135 MHz) (f0≦90 MHz) (f0≦50 MHz) (f0≦135 MHz) OE or ST 20 %→80 % VDD CL=Max. 20 %→80 % VDD CL≦25 pF 0.8 V→2.0 V CL=Max. 0.4 V→2.4 V CL=Max. 80 %→20 % VDD CL=Max. 80 %→20 % VDD CL≦25 pF 2.0 V→0.8 V CL=Max. 2.4 V→0.4 V CL=Max. -40 ˚C∼+85 ˚C -20 ˚C∼+70 ˚C 単品での保存 周波数安定度 ディセーブル時電流 スタンバイ時電流 消 費 電 流  f / fO lOP lOE lST デューティ tW / t 40 %∼60 % 45 %∼55 % ー 50 µA Max. 40 %∼60 % 45 %∼55 % ー VDD - 0.4 V 0.4 V ー ー ー 40 %∼60 % VDD - 0.4 V “H”レベル出力電圧 “L”レベル出力電圧 VOH VOL 15 pF 5 TTL+15 pF 25 pF ー ー ー 15 pF 25 pF 50 pF ー 2.0 V Max. 0.8 V Max. 4.0 ns 3.0 ns ー ー 4.0 ns 3.0 ns ー ー 10 ms Max. ±5 × 10-6 / 年 Max. ±20 × 10-6 Max. 0.4 V ー ー ー ー ー ー 15 pF 70 % VDD 20 % VDD 3.0 ns ー ー ー 3.0 ns ー ー ー 出力負荷条件（ C MO S ） CL “H”レベル入力電圧 “L”レベル入力電圧 出力上昇時間 出力下降時間 発振開始時間 経 時 変 化 耐 衝 撃 性 VIH VIL tTLH tTHL tOSC fa S. R. ー ー ー ー ー ー 2.0 ns 4.0 ns ー ー 2.0 ns 4.0 ns Ta=+25 ℃, VDD=5. 0 V / 3. 3 V, 初年度 硬木上750 mm × 3回または 29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向 40