SG-730PHN

Crystal oscillator 高周波水晶発振器 SG-730シリーズ 製品型番（２ページを参照） Q33730xxxxxxx00 リフロー可能な高密度実装対応SMD. C-MOS ICの使用により低消費電流を実現 ● 電源電圧5.0 V （＊H＊）、3.3 V （＊C＊）対応 ● Outp t en b （OE） u a le 機能により消費電力の低減可能 ● ● 原寸大 ■仕 様（特性） 項     目 出力周波数範囲 電源電圧 温度範囲 記 号 fO PHN 仕      様 PCN SCN 67.0001 MHz ∼80.0000 MHz 条      件 P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く VDD=GND 単品で保存 P. 31製品別周波数帯を参照して ださい く -20 ˚C∼+70 ˚C -40 ˚C∼+85 ˚C F0 ≦ 32 MHz, 無負荷 F0 ≦ 40 MHz, 無負荷 F0 ≦ 50 MHz, 無負荷 F0 ≦ 67 MHz, 無負荷 F0 ≦ 80 MHz, 無負荷 F0 ≦ 32 MHz, OE=GND (PHN, PCN) F0 ≦ 40 MHz, OE=GND (PHN, PCN) F0 ≦ 50 MHz, OE=GND (PHN, PCN) F0 ≦ 67 MHz, OE=GND (PHN, PCN) ST=GND（SCN） 1.5000 MHz∼67.0000 MHz 最 大 供 給 電 圧 VDD-GND 動 作 電 圧 VDD 保 存 温 度 動 作 温 度 TSTG TOPR  f / fO H：5.0 V±0.5 V -0.5 V∼+7.0 V C：3.3 V±0.3 V -40 ˚C∼+125 ˚C -40 ˚C∼+85 ˚C 周波数安定度 S ±25 × 10-6 Max.、 ： 50 × 10-6 Max.、 ： 100 × 10-6 Max. ： B± C± L：±50 × 10-6 Max.、M ：±100 × 10-6 Max. 12.0 mA Max. 30.0 mA Max. 40.0 mA Max. 50.0 mA Max. – 5.0 mA Max. 25.0 mA Max. 30.0 mA Max. 40.0 mA Max. – 7.0 mA Max. 12.0 mA Max. 15.0 mA Max. 20.0 mA Max. – 4.0 mA Max. 10.0 mA Max. 10.0 mA Max. 10.0 mA Max. – 45 %∼55 % VDD - 0.4 Min. 0.4 V Max. 2.0 V Min. 0.8 V Max. 15 pF Max. 2.0 V Min. 0.5 V Max. 4 ns Max. 4 ns Max. 10 ms Max. ±10 × 10-6 / 年 Max. 70% VDD Min. 30% VDD Max. – – – – 35 mA Max. – – – – 15 µA Max. 消 費 電 流 lOP ディセーブル電流 lOE スタンバイ時電流 lST デ ュー テ ィ “Ｈ”レベル出力電圧 “Ｌ”レベル出力電圧 出力負荷条件 “Ｈ”レベル入力電圧 “Ｌ”レベル入力電圧 出力上昇時間 出力下降時間 発振開始時間 経 時 変 化 tW / t VOH VOL CL VIH VIL tTLH tTHL tOSC fa 1 / 2VDD レベル IOH=-8 mA IOL=8 mA OE端子 PCN PHN） （ ST端子 SCN） （ 20 %→80 %VDDレベル 80 %→20 %VDDレベル 最小値動作電圧時の tを0とする。 Ta=+25 ˚C, VDD=5.0 V/3.3 V, 10 years ■外形寸法図 #3 （単位：mm） ■推奨はんだ付けパターン図 （単位：mm） 1. 4 #4 1. 1 1. 8 5. 0±0. 2 1. 4±0. 1 NO. 2 ピン端子   GND 1   OE 3   OUT 5. 08 ■端子説明 OE端子 PHN, PCN） （ OE端子= H” “Open”OUT端子に所定の周波数を出力 “ or ： OE端子= L ”出力停止、 UT端子は、 イ ン ーダンス “： O ハイピ 4    VDD 4. 2 7. 0±0. 2 #2 5. 08 #1 5. 08 ST端子 SCN） （ ST端子= H” “Open”OUT端子に所定の周波数を出力 “ or ： ST端子= L ”発振停止、 UT端子は、 イ ン ーダンス “： O ハイピ 2. 0 PCN181A 2. 6 E 32.768S 36