1. 物料型号:
- 型号:50N035
- 封装:TO-220和TO-263(D2)
2. 器件简介:
- 该N沟道功率场效应晶体管使用高单元密度DMOS技术生产,特别适合于汽车和其他电池供电电路等低电压应用,这些应用需要快速开关、低内联功率损耗和对晶体管的抗性。
3. 引脚分配:
- TO-220封装为3引脚,普遍适用于所有商业和工业应用,功率耗散水平为2至大约50瓦。
- D2封装的表面贴装功率封装,功率耗散高达2瓦。
4. 参数特性:
- 漏源电压(VDSS):30V
- 导通电阻(RDS(ON)):0.013欧姆
- 漏极电流(ID):52A
5. 功能详解:
- 内部源漏二极管坚固,可以省去外部Zener二极管瞬态抑制器的需求。
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻。
6. 应用信息:
- 适用于需要快速开关、低内联功率损耗和对晶体管有抗性的低电压应用,如汽车和其他电池供电电路。
7. 封装信息:
- 提供TO-220和TO-263(D2)封装,工作温度范围为0至150°C。