BTX18-200

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ETC
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BTX18-200 - SILICON THYRISTORS - List of Unclassifed Manufacturers

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BTX18-100/BTX18-200/BTX18-300 BTX18-400/BTX18-500 SILICON THYRISTORS The BTX18 series is a range of p-gate reverse blocking thyristors, in a TO-39 metal enveloppe, intended for use in general low power applications up to a A average on-state current. RATINGS Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) Anode to Cathode - Ratings Voltage 1) BTX18- BTX18- BTX18- BTX18- BTX18100 200 300 400 500 Symbol VR VRWM VRRM VRSM VDWM VD VDRM VDSM Currents Ratings Continuous Reverse Voltage Crest Working Reverse Voltage Repetitive Peak Reverse Voltage (δ = 0.01 ; f=50Hz) Non-repetitive peak reverse voltage (t

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BTX18-200

### 物料型号 - BTX18-100 - BTX18-200 - BTX18-300 - BTX18-400 - BTX18-500

### 器件简介 BTX18系列是p-gate反向阻断晶闸管，封装在TO-39金属外壳中，适用于一般低功率应用，最大平均导通电流为1.0A。

### 引脚分配 - Pin 1: 阴极（Kathode） - Pin 2: 门极（Gate） - Pin 3: 未指定

### 参数特性 #### 电压参数 - 连续反向电压（VR）、工作反向峰值电压（VRWM）、重复峰值反向电压（VRRM）、非重复峰值反向电压（VRSM）：各型号分别为100V、200V、300V、400V、500V。 - 连续关断电压（VD）、工作关断峰值电压（VDWM）、重复峰值关断电压（VDRM）、非重复峰值关断电压（VDSM）：各型号分别为100V、200V、300V、400V、500V。

#### 电流参数 - 平均导通电流（IT(AV)）：最大250mA。 - 导通电流（IT）：最大1.6A。 - 有效值导通电流（IT(RMS)）：最大1.6A。 - 重复峰值导通电流（ITRM）：最大10A。 - 非重复峰值导通电流（ITSM）：10A。

#### 温度参数 - 结温存储温度（TJ Tsta）：最大125°C，范围-55°C至+125°C。 - 从结到外壳的热阻（Rth j-c）：未指定。 - 从结到环境的热阻（Rth j-a）：200°C/W。 - 瞬态热阻（Zthj-c）：2.5°C/W。

### 功能详解 BTX18系列晶闸管在门极相对于阴极有零或负偏置，并且门极和阴极之间连接了小于1kΩ的电阻时，适用于零或负偏置条件下。该器件不适合在正向击穿模式下工作。

### 应用信息 适用于一般低功率应用，最大平均导通电流为1.0A。

### 封装信息 - 封装类型：TO-39金属封装。 - 尺寸参数：A 6.71mm、B 13.2mm、C 9.23mm、D 8.34mm、E 0.8mm、F 0.8mm、G 0.42mm、H 45°。

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