### 物料型号
- 型号：ER2055、ER2055IR、ER2055HR
### 器件简介
- 组织：512字 x 8位
- 地址：6位二进制地址
- 电源：+5V和-28V电源
- 特点：
- 单词可更改
- ER2055在+70°C下10年数据存储
- ER2055IR在+85°C下1年数据存储
- ER2055HR在+125°C下1年数据存储
- TTL兼容，输入需上拉电阻
- 三态输出
- 读时间：ER2055为2us，ER2055IR和ER2055HR为4us
- 写/擦除时间：ER2055为50ms，ER2055HR为100ms
- 无需电压切换
### 引脚分配
| 引脚 | 功能 |
| --- | --- |
| A0-A5 | 6位字地址 |
| D0-D7 | 数据输入和输出引脚 |
| CS1, CS2 | 芯片选择，CS1为逻辑"1"，CS2为逻辑"0" |
| C1, C2 | 模式控制输入 |
| CLK | 时钟输入，用于读操作 |
| Vss | 衬底供电，通常为+5V |
| Val | 地输入 |
| Va | 电源输入，通常为-28V |
### 参数特性
- 操作电压：$V_{ss}$ 介于+5至+10伏之间，适用于TTL或CMOS兼容性
- 负电源：$VGG$ 应调整，使得$Vss$和$VGG$之间的差为33伏
- 内部电路：使用动态边沿触发电路
### 功能详解
- 数据存储：通过负写脉冲将电荷选择性地隧穿到栅绝缘体的氧化氮界面，表现为选中存储晶体管的阈值电压负向偏移。
- 读取：使用感测触发器读取存储单元，根据“写入”的晶体管呈现逻辑高或低至输出。
### 应用信息
- 擦除与写入：写入前需擦除以预处理单元，擦除后两个晶体管具有相同的阈值电压，输出无有效数据。
### 封装信息
- 封装：28引脚陶瓷双列直插式封装
