ER2055IR

ER2055IR

  • 厂商:

    ETC

  • 封装:

  • 描述:

    ER2055IR - 512 BIT ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY - List of Unclassifed Manufacturers

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
ER2055IR 数据手册
ER2055IR
### 物料型号 - ER2055:标准工业级EAROM芯片。 - ER2055IR:扩展工业级温度范围的EAROM芯片。 - ER2055HR:高可靠性军用级温度范围的EAROM芯片。

### 器件简介 ER2055系列是一种512位的电子可擦写只读存储器(EAROM),具备64字×8位的组织结构,6位二进制地址,支持+5V和-28V双电源供电。数据存储寿命长,ER2055在+70°C下可达10年,ER2055IR在+85°C下为1年,ER2055HR在+125°C下为1年。

### 引脚分配 - A0-A5:6位字地址输入。 - D0-D7:数据输入输出引脚。 - CS1, CS2:芯片选择,逻辑“1”选择CS1,逻辑“0”选择CS2。 - C1, C2:模式控制输入,用于选择擦除、读取和写入模式。 - CLK:时钟输入,用于读取操作。 - Vss:衬底供电,通常为+5V。 - Val:地输入。 - Va:电源输入,通常为-28V。

### 参数特性 - 读取时间:ER2055为2μs,ER2055IR和ER2055HR为4μs。 - 写/擦除时间:ER2055为50ms,ER2055HR为100ms。 - 数据存储寿命:ER2055在+70°C下可达10年,ER2055IR在+85°C下为1年,ER2055HR在+125°C下为1年。 - 电源电压:+5V至+10V,兼容TTL或CMOS。 - 负电源电压:VGG应调整使得Vss和VGG之间的差为33V。

### 功能详解 ER2055系列EAROM通过内部2位代码切换写入、擦除和读取电压。数据存储通过负写入脉冲实现,选择性地将电荷隧穿至栅绝缘体的氧化氮化物界面。读操作通过感应触发器完成,根据“写入”的晶体管呈现逻辑高或低至输出。

### 应用信息 ER2055系列适用于需要长期数据存储和稳定操作的场合,如工业控制、军事和高可靠性应用。

### 封装信息 ER2055系列提供28引脚陶瓷双列直插式封装(DIP)。
ER2055IR 价格&库存

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