物料型号：
- 型号为HLX6228。
器件简介：
- HLX6228是一款128K x 8位的静态随机存取存储器（SRAM），采用Honeywell的辐射硬化技术制造，适用于在辐射环境中运行的低电压系统。该存储器在全军事温度范围内运行，仅需要一个3.3V±0.3V的电源供应。与JEDEC标准的低电压CMOS I/O兼容。在操作中，功耗通常小于9mW/MHz，未选中时小于2mW。读操作完全异步，典型的访问时间为在3.3V下为32ns。
引脚分配：
- 引脚包括地址输入引脚A（0-16），双向数据引脚DQ（0-7），负芯片选择NCS，负写使能NWE，负输出使能NOE，芯片使能CE等。
参数特性：
- 总剂量硬度达到1x10^6 rad(Si)，中子硬度达到1x10^14 n/cm^2，动态和静态瞬态翻转硬度达到1x10^9 rad(Si)/s，剂量率生存能力达到1x10^11 rad(Si)/s。软错误率小于1x10^-10次/位-日，在地球同步轨道上。无锁存效应。
功能详解：
- 该SRAM在推荐操作条件下，能够读写数据，并在经受辐射脉冲后保留存储的数据。在经受中子辐射后，仍能满足所有功能和时序规范。不会因辐射暴露而产生锁存。
应用信息：
- 适用于需要在辐射环境中运行的军事和空间产品。
