物料型号：
- 型号为HLX6228。
器件简介：
- HLX6228是一款128K x 8位的静态随机存取存储器（SRAM），采用Honeywell的辐射硬化技术制造，适用于在辐射环境中运行的低电压系统。该SRAM在全军事温度范围内运行，仅需要一个3.3V±0.3V的电源供电，并与JEDEC标准的低电压CMOS I/O兼容。
引脚分配：
- 引脚包括地址输入引脚A（0-16），双向数据引脚DQ（0-7），负芯片选择NCS，负写使能NWE，负输出使能NOE，以及芯片使能CE。
参数特性：
- 总剂量硬度达到1x10^6 rad(Si)，瞬态剂量率硬度达到1x10^9 rad(Si)/s，剂量率生存能力达到1x10^11 rad(Si)/s。软错误率低于1x10^-10次/位-日，在地球同步轨道上。没有锁存现象。
功能详解：
- 该SRAM完全异步操作，读操作与NCS引脚控制相关，写操作由NCS、NWE和CE引脚控制。读/写周期时间≤32ns（-55至125°C）。
应用信息：
- 设计用于在辐射环境中使用的低电压系统，例如军事和空间产品。
封装信息：
- 提供32引脚和40引脚的平封装（FP），由多层陶瓷制成，具有内部电源和地平面。用户可以在封装上安装陶瓷芯片电容器，以最大化电源噪声解耦并提高板包装密度。
