R14B シ T N 4 X リーズ
スイッチング用 シリコンN Nエピタキシァル形 P 抵抗入り ラ ト ンジスタ
特徴
・ ゙イアス用抵抗を内蔵(R2=47kΩ) ハ ・ ットの小型化、高密度実装が可能 セ ・ンプリメンタリとして RT1P44BX シリーズ コ があります 。
0.4
外形図 単位 :mm
RT1N44BU
1.6 0.8 0.4 0.5
RT1N44BC
2.5 1.5 0.5
① ② ③
2.9 1.90 0.95 0.95
0.5
用途
インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、 ドライバ回路
1.6 1.0
0.3
① ② ③
0.7
0.5
0.15
1.1
0.55
0∼0.1
0.8
等価回路
C (OUT) B (IN)
R2 E (GND)
JEITA :− JEDEC :− 電極接続 ① :ベース ② ミタ :エ ッ ③コク :レタ RT1N44BM
2.1 0.425 1.25 0.425 3.0
JEITA :SC-59 JEDEC :TO-236 類似 電極接続 ① :ベース ② ミタ :エ ッ ③コク :レタ RT1N44BS
4.0
2.0 1.3 0.65 0.65
0.3
0∼0.1
① ② ③
14.0
1.0
1.0
0.1 0.45
1.27 1.27 0.9 0.15 0.4 2.5 ① ② ③
0.7
JEITA :SC-70 JEDEC :− 電極接続 ① :ベース ② ミタ :エ ッ ③コク :レタ
0∼0.1
JEITA :− JEDEC :− 電極接続 ① ミタ :エ ッ ②コク :レタ ③ :ベース
0.16
0.4
R14B シ T N 4 X リーズ
最大定格( a= 5℃ T2)
記号 V BO C V BO E V EO C IC ICM P C T j Tt sg 項目 コレクタ ベース間電圧 ・ エ ッ・ ミ タ ベース間電圧 コレクタ エ ッ ・ ミ タ間電圧 コレクタ電流 せん頭コレク タ電流 コレクタ損失 接合部温度 保存温度 RT1N44BU 定格値 RT1N44BM RT1N44BC 50 6 50 100 200 150 +150 -55∼+150
スイッチング用 シリコンN Nエピタキシァル形 P 抵抗入り ラ ト ンジスタ
RT1N44BS
単位 V V V mA mA mW ℃ ℃ 特 最小 50 68 33 47 200 0.3 61 性値 標準 最大 0.1
125 +125 -55∼+125
450
電気特性( a= 5℃ T2)
記号 V BR)CEO ( ICBO hE F V E st C ( a) R2 f T 項目 コレクタ エ ッ ・ ミ タ降伏電圧 コレクタしゃ断電流 直流電流増幅率 コレクタ エ ッ ・ ミ タ飽和電圧 エ ッ・ ミ タ ベース間抵抗 利得帯域幅積 測 定 条 件 単位 V μA − V kΩ MHz
I C=100μA,RBE=∞ VCB=50V,I E =0 VCE=5V,I C =5mA I C =10mA,I B =0.5mA VCE=6V,I E =-10mA
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2002 年 11 月作成
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