物料型号：
- UT62L12916BS-70L：访问时间为70ns，待机电流最大80uA，48PIN BGA封装。
- UT62L12916BS-70LL：访问时间为70ns，待机电流最大25uA，48PIN BGA封装。
- UT62L12916BS-100L：访问时间为100ns，待机电流最大80uA，48PIN BGA封装。
- UT62L12916BS-100LL：访问时间为100ns，待机电流最大25uA，48PIN BGA封装。
器件简介：
UT62L12916是一款2,097,152位低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织为131,072字×16位。它专为低功耗应用设计，特别适合高密度低功耗系统应用。该器件工作电压为2.7V至3.3V，所有输入输出均与TTL兼容，支持全静态操作和三态输出。
引脚分配：
- 地址输入（A0-A17）
- 数据输入/输出（I/O1-I/O16）
- 芯片选择输入（CE1#, CE2）
- 写使能输入（WE#）
- 输出使能输入（OE#）
- 低字节控制（LB#，控制I/O1~I/O8）
- 高字节控制（UB#，控制I/O9~I/O16）
- 电源（Vcc）
- 地（Vss）
- 无连接（N.C）
参数特性：
- 工作电压：2.7V至3.3V
- 输入高电平电压（VIH）：最小2.2V
- 输入低电平电压（VIL）：最大0.6V
- 输出高电平电压（VOH）：最小2.2V
- 输出低电平电压（VOL）：最大0.4V
- 工作功耗电流（Icc）：最大5mA
- 待机功耗电流（IsB）：L版最大80uA，LL版最大25uA
功能详解：
该SRAM支持快速访问时间，低功耗消耗，并能在单个2.7-3.3V电源下工作。所有输入输出与TTL兼容，支持全静态操作和三态输出。数据保留电压为1.5V，支持字节控制。
应用信息：
适用于需要低功耗和高密度存储的系统应用。
封装信息：
提供48引脚球微型BGA封装，尺寸为6mm×8mm，球间距为0.75mm。
