### 物料型号
- 型号：V61C16
- 系列：V61C16 FAMILY
### 器件简介
V61C16是一款高速、低功耗的2048字节x8位CMOS静态RAM，采用高性能CMOS工艺技术制造。该器件具有最大访问时间为45纳秒的特点，并且在芯片选择高时，设备进入待机模式，此时功耗降至0.5微瓦（典型值）。
### 引脚分配
- Plastic DIP：标准封装，引脚数为24
- SOIC (Mini Flat Pack)：表面贴装封装，引脚数为24
### 参数特性
- 高速：最大访问时间为45/55/70纳秒
- 低功耗：典型工作功耗200毫瓦，待机功耗0.5微瓦，数据保持功耗0.1瓦
- 电池备份：2伏数据保持（L版本）
- 六晶体管CMOS存储单元：CMOS工艺几乎消除了α粒子引起的软错误，无需晶片涂层
- 全静态操作：无需时钟或刷新
### 功能详解
V61C16在芯片选择高时进入待机模式，功耗降至0.5微瓦（典型值）。低功耗版本具有数据保持模式，保证在最低电源电压2.0伏时数据仍然有效。使用CMOS技术，供电电压从2.0到5.5伏对供电电流和数据保持几乎没有影响。
### 应用信息
V61C16适用于需要高速、低功耗静态RAM的应用场合，如内存扩展、数据缓存等。
### 封装信息
- Plastic DIP：标准塑料双列直插封装，引脚间距为600 mil
- SOIC (Mini Flat Pack)：表面贴装集成电路封装，引脚间距为300 mil
