### 物料型号
- 型号：V61C16
### 器件简介
- V61C16是一款高性能、低功耗的2Kx8位CMOS静态RAM，采用高性能CMOS工艺技术制造。该器件具有最大45ns的访问时间，并且具有高可靠性。
### 引脚分配
- 封装类型：Plastic DIP、SOIC（Mini Flat Pack）
- 引脚数量：24
- 标准封装：P（标准）、S（Skinny）、F（SOIC）
### 参数特性
- 高速：最大访问时间为45/55/70ns
- 低功耗：典型操作功耗200mW，待机功耗0.5uW，数据保持功耗0.1W
- 电池备份：2伏数据保持（L版本）
- 六晶体管CMOS存储单元：几乎消除了α粒子引起的软错误，无需额外的封装
- 全静态操作：无需时钟或刷新
### 功能详解
- 当芯片选择高时，设备进入待机模式，此时功耗降低至0.5uW（典型值）。低功耗版本具有数据保持模式，保证在最低2.0伏电源电压下数据有效。
- 使用CMOS技术，2.0至5.5伏的供电电压对供电电流和保持模式的影响很小，无需降低供电电压以最小化电流消耗。
### 应用信息
- 该器件适用于需要高速、低功耗静态RAM的应用场合，如计算机内存、高速缓存等。
### 封装信息
- Plastic DIP：标准DIP封装，引脚数量24
- SOIC（Mini Flat Pack）：小型扁平封装，引脚数量24
