V61C16P55S

物料型号： - V61C16系列

器件简介： - V61C16是一款高速、低功耗的2048字x8位CMOS静态RAM，采用高性能CMOS工艺技术制造。该器件在待机模式下功耗极低，典型值为0.5微瓦，数据保持模式下保证在最低2.0伏电源电压下数据有效。

引脚分配： - 封装类型包括塑料DIP和SOIC（迷你扁平封装），引脚数量为24。

参数特性： - 高速：最大访问时间为45/55/70纳秒 - 低功耗：典型工作功耗200毫瓦，待机功耗0.5微瓦，数据保持功耗0.1瓦 - 电池备份：2伏数据保持（L版本） - 六晶体管CMOS存储单元：几乎消除了α粒子引起的软错误，无需额外的封装 - 完全静态操作：无需时钟或刷新 - 引脚兼容性：与传统的DIP和EPROM兼容

功能详解： - V61C16在芯片选择高时进入待机模式，此时功耗降低至0.5微瓦（典型值）。低功耗版本具有数据保持模式，保证在最低2.0伏电源电压下数据有效。使用CMOS技术，2.0至5.5伏的供电电压对供电电流和数据保持几乎没有影响。

应用信息： - 适用于需要高速、低功耗存储器的应用场合。

封装信息： - 标准封装：塑料DIP（P），Skinny封装（S），SOIC（Mini Flat Pack）（F），引脚数量均为24。