1. 物料型号：
- VTS_80
- VTS_82
- VTS_85
2. 器件简介：
- 这些平面型、P-on-N、大面积硅光电二极管适用于光伏（无偏置）模式。它们出色的速度和宽带灵敏度使它们非常适合检测来自各种光源的光，如LED、IRED、闪光灯管、白炽灯、激光器等。改进的并联电阻最小化了高增益系统中的放大器偏移和漂移。这些光电二极管上的可焊接触系统为许多应用提供了成本效益的设计方案。
3. 引脚分配：
- 根据封装尺寸图，CASE 44A为阳极（ACTIVE）表面，阴极为背面。
4. 参数特性：
- 存储温度：-40°C至150°C（系列20、31），-40°C至105°C（系列30）
- 工作温度：-40°C至125°C（系列20、31），-40°C至105°C（系列30）
- 反向电压：6.0伏特
5. 功能详解：
- 短路电流（ISC）：在1000 lux，2850 K条件下，VTS_80和VTS_82的最小值为2.30 mA，VTS_85为0.13 mA。
- 暗电流（ID）：在0 lux，100 mV条件下，VTS_80和VTS_82的最小值为0.2 µA，VTS_85为0.02 µA。
- 并联电阻（RSH）：在0 lux，10 mV条件下，VTS_80和VTS_82的最小值为0.3 MΩ，VTS_85为3.0 MΩ。
- 结电容（CJ）：在0 lux，0 V，1 MHz条件下，VTS_80和VTS_82的最小值为7.5 nF，VTS_85为0.50 nF。
- 灵敏度（SR）：在400 nm条件下，VTS_80和VTS_82的最小值为0.18 A/W，VTS_85为0.18 A/W。
- 响应时间（tR/tF）：在1 kΩ负载，VR = 1 V，830 nm条件下，VTS_80为13 µsec，VTS_82为3.4 µsec，VTS_85为1.2 µsec。
6. 应用信息：
- 适用于检测来自LED、IRED、闪光灯管、白炽灯、激光器等多种光源的光。
7. 封装信息：
- 封装尺寸以英寸和毫米为单位提供，具体尺寸如下：
- VTS_80：长度0.800英寸（20.32毫米），宽度0.800英寸（20.32毫米），有效区域0.6072英寸²（3922平方毫米）。
- VTS_82：长度0.400英寸（10.16毫米），宽度0.400英寸（10.16毫米），有效区域0.1442英寸²（932平方毫米）。
- VTS_85：长度0.200英寸（5.08毫米），宽度0.200英寸（5.08毫米），有效区域0.0322英寸²（212平方毫米）。
