1. 物料型号:
- 型号为C-SERIES高频芯片电容器。
2. 器件简介:
- 该系列电容器具有高Q值/低ESR、自谐振频率高达23.0 GHz、无铅端接和免费的MLCSoft®用于SPICE和S参数建模数据。
3. 引脚分配:
- 机械特性表格中提供了不同封装尺寸的电容器尺寸(长L、宽W、厚T以及端点到板E/B距离)。
4. 参数特性:
- 温度系数:0±30ppm/°C, -55到125°C;
- 品质因数:最小2,500,典型值10,000;
- 绝缘电阻:25°C,WDC条件下大于1,000 GΩ;
- 介质耐压:最小2.5倍WDC;
- 测试参数:1MHz + 50kHz, 1.00-2 VRMS, 25°C。
5. 功能详解:
- 该系列电容器适用于射频应用,具有优异的射频性能和高频特性,适用于手机产品、无线局域网、电缆组件、射频集成电路、射频收发器和定制应用。
6. 应用信息:
- 应用于射频和微波通信领域,特别是在需要高Q值和低ESR的场合。
7. 封装信息:
- 提供了0402、0603、0805和1210四种尺寸的电容器,具体尺寸和可选取的电容值在文档中有详细说明。