1. 物料型号:12N035,这是一个N-Channel Field Effect Transistor(N沟道场效应晶体管)。
2. 器件简介:Bay Linear生产的n沟道功率场效应晶体管,使用高单元密度DMOS技术制造,特别适合于低电压应用,例如汽车和其他电池供电电路,这些应用需要快速开关、低内联功率损耗和对晶体管的抗性。
3. 引脚分配:TO-220封装提供3个引脚,普遍适用于所有商业工业应用,功率耗散水平大约为50瓦。另外,还提供D2表面贴装功率封装,功率耗散高达2瓦。
4. 参数特性:
- VDSS = 30V:漏源电压
- RDS(ON) = 0.045Ω:导通电阻
- ID = 12A:漏极电流
5. 功能详解:该器件具有高密度单元设计,以实现极低的RDS(ON),并且具有坚固的内部源漏二极管,可以消除外部Zener二极管瞬态抑制器的需求。
6. 应用信息:适用于需要快速开关、低内联功率损耗和对晶体管有抗性的低电压应用,如汽车和其他电池供电电路。
7. 封装信息:提供TO-220封装和D2表面贴装功率封装,TO-220封装适用于大约50瓦的功率耗散,D2封装适用于高达2瓦的功率耗散。