2SD965

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SD965 HD965 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C089AJ-00-XXX 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：890×890µm 2 焊位尺寸：B 极 230×230µm；E 极 170×170µm 电极金属：铝 背面金属：金 封装形式：TO-92 █ 芯片图 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………………0.75W V CB O —— 集 电极—基 极 电压…… … ………… … ……… 4 0 V V CEO — — 集 电极—发射 极电压…… …………… ……… I C ——集电极电流………………………………………… 20V V EBO —— 发 射极— 基极 电压… …… ……… …… ……… … 7V 5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 ICBO IEBO VCEO VEBO hFE1 hFE2 VCE（sat） fT Cob 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 100 100 20 7 180 150 1 150 50 V MHz pF 800 单位 nA nA V V 测 试 条 件 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极-发射极电压 发射极-基极电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 VCB=10V, IE=0 VEB=7V, IC=0 IC=1mA，IB=0 IE=10μA，IC=0 VCE=2V, IC=0.5A VCE=2V, IC=2A IC=3A, IB=0.1A VCB=6V, IE=50mA VCB=20V,IE=0, f=1MHz