0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
3CD834

3CD834

  • 厂商:

    ETC1

  • 封装:

  • 描述:

    3CD834 - DIODE - List of Unclassifed Manufacturers

  • 数据手册
  • 价格&库存
3CD834 数据手册
深圳市大雁科技实业有限公司 Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen 3CD834 1. 主要特点 硅外延平面工艺 2. 封装形式 TO-220 3. 主要用途 低频功率放大 电源调整 伴音、场输出 4. 和 D880 构成互补对管 5. 绝对最大额定值 Ta=25℃ 项目 集电极—基极直流电压 集电极—发射极直流电压 发射极—基极直流电压 集电极直流电流 集电极耗散功率 Ta=25℃ Tc=25℃ 最高结温 贮存温度范围 6. 电特性 Ta=25℃ 项目 集电极—基极直流电压 集电极—发射极直流电压 发射极—基极直流电压 集电极—基极截止电流 集电极—发射极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极正向导通压降 直流电流增益 符号 VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO ICEO IEBO VCEsat VBE(ON) hFE1 hFE2 hFE3 fT 数值 -120 -70 -7 -3 1.5 30 150 -55~150 测试条件 IC=-10µA IE=0 IC=-10mA IB=0 IE=-1mA IC=0 VCB=-140V IE=0 VCE=-80V IB=0 VEB=-7V I C =0 IC=-3A IB=-0.3 A IC=-5A IB=-0.5 A VCE=-5V IC=-0.5A VCE=-5V IC=-3A VCE=-5V IC=-50mA VCE=-5V IC=-0.5A 规范 Min Max -120 -70 -7 -100 -100 -100 -1 -1 60 300 20 70 5 单位 V V V A W W ℃ ℃ 单位 V V V µA µA µA V V MHz 7. hFE1分档要求 60-120;100-200;150-300 地址:广东省深圳市南山区西丽留仙洞桑泰工业园 1 栋 电话:0755-86020755 传真:0755-86020855 网址:http://www.dayan.com.cn 邮编:518055 -1- 2005-1-27
3CD834 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“3CD834”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货