3DD13005A

广州金永利电子有限公司 A1 █ 主要用途 高压快速开关 NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 3DD13005A 13005A █ 外形图及引脚排列 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ T j ——结温 …………… …………… …………… …… 1 50 ℃ PC——集电极功率耗散 Tc=25℃） （ ………………………… 70W VCBO——集电极—基极电压……………………………… 700V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9V IC——集电极电流 DC） （ ……………………………………… 4A IC——集电极电流（脉冲）…………………………………… 8A IB——基极电流…………………………………………… 2A TO-220 1―基 极，B 2―集电极，C 3―发射极，E █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCEO（sus） IEBO hFE 符 号 说 明 * 最小值 400 典型值 最大值 单位 V 测 试 条 件 集电极—发射极维持电压 发射极—基极截止电流 直流电流增益* IC=10mA, IB=0 VEB=9V, IC=0 VCE=5V, IC=1A VCE=5V, IC=2A 1 10 8 40 40 0.5 0.6 1 mA VCE（sat） 集电极—发射极饱和电压* V v V V V pF MHz IC=1A, IB=0.2A IC=2A, IB=0.5A IC=4A, IB=1A IC=1A, IB=0.2A IC=2A, IB=0.5A VCB=10V, f=0.1MHz VCE=10V, IC=0.5A VBE(sat) 基极—发射极饱和电压* 1.2 1.6 Cob fT ton ts tf 共基极输出电容 特征频率 导通时间 载流子贮存时间 下降时间 4 65 0.8 4 0.9 μs μs μs VCC=125V, IC=2A, IB1=-IB2=0.4A 分档：H1（10--16） H2（14--21） H3（19--26） H4（24--31） H5（29--40）